[發明專利]提高摻氧硅基氮化物薄膜電致發光器件發光效率的方法無效
| 申請號： | 200710132145.7 | 申請日： | 2007-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN101132042A | 公開（公告）日： | 2008-02-27 |
| 發明（設計）人： | 黃銳;陳坤基;董恒平;王旦清;李偉;徐駿;馬忠元;徐嶺;黃信凡 | 申請（專利權）人： | 南京大學 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 | 代理人： | 湯志武;王鵬翔 |
| 地址： | 210093*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 摻氧硅基 氮化物 薄膜 電致發光 器件 發光 效率 方法 | ||
1.提高摻氧硅基氮化物薄膜電致發光器件發光效率的方法，其特征是
1)在室溫下生長富硅非晶氮化硅(a-SiNx)薄膜：利用等離子體增強化學汽相淀積方法，在室溫下，采用硅烷(SiH4)和氨氣(NH3)作為反應氣源，在ITO玻璃襯底上淀積a-SiNx薄膜，SiH4與NH3的流量比控制在0.5-1之間，薄膜厚度60-100nm；
2)氧等離子體源氧化以形成富硅的摻氧非晶氮化硅(a-SiNx)薄膜：在襯底溫度為95-105℃的條件下，利用PECVD技術，用氧等離子體源氧化室溫生長的a-SiNx薄膜，氧等離子體處理時間：10-30min；形成富硅的摻氧a-SiNx薄膜，以這層薄膜作為器件的有源層。
2.根據權利要求1所述的提高摻氧硅基氮化物薄膜電致發光器件發光效率的方法，其特征是發光器件的電極制備方法：對于以ITO為陽極的硅基發光器件，直接在有源層上蒸鍍一層1μm厚的金屬鋁)薄膜作為陰極，以ITO為陽極的一端為光出射端。
3.根據權利要求1所述的提高摻氧硅基氮化物薄膜電致發光器件發光效率的方法，其特征是利在ITO玻璃襯底上淀積富硅的a-SiNx薄膜。制備時的具體工藝條件如下：
功率源頻率：??13.56MHz
功率密度：????0.6W/cm2
反應腔壓力：??80Pa
襯底溫度：????25℃
SiH4流量為8sccm，NH3流量為8sccm，淀積時間為130s，薄膜厚度為80nm。
4.根據權利要求1所述的提高摻氧硅基氮化物薄膜電致發光器件發光效率的方法，其特征是氧等離子體源氧化室溫生長的富硅的a-SiNx薄膜的具體條件：
功率源頻率：??????????13.56MHz
功率密度：????????????0.6W/cm2
反應腔壓力：??????????40Pa
襯底溫度：????????????100℃
O2流量：??????????????27sccm
氧等離子體處理時間：??20min。
5.根據權利要求1所述的提高摻氧硅基氮化物薄膜電致發光器件發光效率的方法，其特征是發光器件的電極制備是采用熱蒸發技術，對于以ITO為陽極的硅基發光器件，直接在有源層上蒸鍍1層1μm厚的金屬鋁(Al)薄膜作為陰極，Al電極為直徑為3mm的圓斑，器件結構如圖1所示，其中以ITO為陽極的1端為光出射端。
6.根據權利要求1所述的提高摻氧硅基氮化物薄膜電致發光器件發光效率的方法，其特征是電極制備的具體工藝條件為：蒸發電流3.5A，蒸發時間25s，電極厚度1μm。
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