[發明專利]只讀存儲器數據修補電路和方法、及其嵌入式系統

有效

• 申請號: 200710129228.0
• 申請日: 2007-02-25
• 公開（公告）號: CN101075213A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發明（設計）人: 韓東熙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F12/06
• 分類號: G06F12/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 邵亞麗

1.一種只讀存儲器ROM數據修補電路，用于基于修補信息利用N個隨機存取存儲器RAM修補塊中存儲的修補數據來替換N個修改ROM數據塊中存儲的ROM數據，N為自然數，該ROM數據修補電路包括：

數據修補檢測單元，被配置為生成N個偏移選擇信號和地址選擇信號，所述N個偏移選擇信號指明ROM讀取地址屬于N個修改ROM數據塊中的哪一個，該地址選擇信號表示ROM讀取地址是否屬于N個修改ROM數據塊中的任意一個；

RAM地址生成單元，被配置為基于偏移選擇信號而生成與該ROM讀取地址對應的RAM讀取地址；以及

地址選擇單元，被配置為基于地址選擇信號輸出ROM讀取地址和RAM讀取地址之一，

其中所述修補信息包括所述N個修改ROM數據塊的N個起始地址、N個數據塊長度、N個偏移量以及用于控制修補操作的修補使能信號，所述N個偏移量中的每個表示修改ROM數據塊地址與對應的RAM修補塊地址之間的差值；

其中，當ROM讀取地址屬于N個修改ROM數據塊中的任意一個而且修補使能信號為邏輯高時，所述地址選擇信號為邏輯高；當ROM讀取地址不屬于N個修改ROM數據塊中的任意一個或者修補使能信號為邏輯低時，所述地址選擇信號為邏輯低；以及

其中，當地址選擇信號為邏輯低時，所述地址選擇單元被配置為輸出ROM讀取地址，而當地址選擇信號為邏輯高時，所述地址選擇單元被配置為輸出RAM讀取地址。

2.如權利要求1所述的ROM數據修補電路，其中所述數據修補檢測單元包括：

N個比較器單元，被配置為用來分別生成偏移選擇信號，當ROM讀取地址屬于對應的修改ROM數據塊時，該偏移選擇信號為邏輯高，而當ROM讀取地址不屬于對應的修改ROM數據塊時，該偏移選擇信號為邏輯低；

或門，被配置為對所述N個比較器單元生成的所述N個偏移選擇信號執行或操作；以及

第一與門，被配置為對該或門的輸出信號和該修補使能信號執行與操作，以生成該地址選擇信號。

3.如權利要求2所述的ROM數據修補電路，其中所述N個比較器單元中的第K比較器單元，K為自然數，包括：

下限比較器，被配置為當ROM讀取地址不小于N個起始地址中的第K起始地址時，輸出邏輯高的第一信號；

加法器，被配置為輸出第K起始地址和N個數據塊長度中的第K數據塊長度之和；

上限比較器，被配置為當ROM讀取地址不大于加法器的輸出時，輸出為邏輯高的第二信號；以及

第二與門，被配置為對該第一信號與該第二信號執行與操作，以生成N個偏移選擇信號中的第K偏移選擇信號。

4.如權利要求1所述的ROM數據修補電路，其中所述RAM地址生成單元包括：

偏移選擇器，被配置為基于所述N個偏移選擇信號而輸出該N個偏移量中的、與ROM讀取地址所屬的修改ROM數據塊對應的偏移量；以及

偏移加法器，被配置為通過將ROM讀取地址與從偏移選擇器輸出的偏移量相加，而輸出RAM讀取地址。

5.如權利要求1所述的ROM數據修補電路，其中當該修補使能信號為邏輯低時，所述地址選擇單元被配置為選擇并輸出ROM讀取地址，而不考慮該ROM讀取地址是否屬于N個修改ROM數據塊中的任意一個。

6.如權利要求1所述的ROM數據修補電路，其中所述地址選擇單元包括多路復用器，該多路復用器被配置為基于地址選擇信號而輸出ROM讀取地址和RAM讀取地址之一。

7.如權利要求1所述的ROM數據修補電路，進一步包括用于存儲該修補信息的寄存器。