[發明專利]半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 200710129101.9
• 申請日: 2007-07-11
• 公開（公告）號: CN101106085A
• 公開（公告）日: 2008-01-16
• 發明（設計）人: 田中梢;久保亨
• 申請（專利權）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105;H01L21/762;H01L21/768;H01L21/00;B24B1/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 關兆輝;陸錦華

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

在半導體襯底上或上方形成膜；和

對所述膜進行化學機械拋光，其中所述化學機械拋光進一步包括：

第一拋光工藝，其拋光所述膜，同時提供包含磨粒、和由表面活性劑或聚合物鹽組成的添加劑的第一拋光劑；

第二拋光工藝，其在所述第一拋光工藝之后，打磨拋光墊同時通過提供能夠溶解所述添加劑但不含磨粒也不含由表面活性劑或聚合物鹽組成的添加劑的液體來拋光所述膜；和

第三拋光工藝，其在所述第二拋光工藝之后，進一步拋光所述膜同時提供包含磨粒和由表面活性劑或聚合物鹽組成的添加劑的第二拋光劑，但不提供所述液體。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，

其中所述液體為水。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，

其中所述磨粒是二氧化鈰或硅石磨粒。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，

其中所述第二拋光劑與所述第一拋光劑相同。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，

其中所述第二拋光工藝中的拋光壓力被調節為1psi或以下。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，

其中所述膜為第一絕緣膜。

7.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，

其中所述第一絕緣膜為SiO₂膜。

8.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，進一步包括：

在形成該膜的所述工藝之前，形成第二絕緣膜與所述半導體襯底的上部接觸；和

在形成第二絕緣膜的所述工藝之后，并在形成該膜的所述工藝之前，選擇性地去除所述第二絕緣膜和所述半導體襯底的預定部分，以由此形成從所述第二絕緣膜到所述半導體襯底的內部部分的深度范圍的凹面部分，

其中，形成所述膜的所述工藝是形成所述第一絕緣膜以填充所述凹面部分的工藝，和

在所述第三拋光工藝中，去除所述凹面部分外部的區域中形成在所述第二絕緣膜上的所述第一絕緣膜，以由此暴露出所述第二絕緣膜的表面。

9.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，

其中所述第一絕緣膜為SiO₂膜，且所述第二絕緣膜為SiN膜。

10.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，

其中，所述第一拋光工藝是平整化所述第一絕緣膜的工藝；和

所述第三拋光工藝是進一步拋光所述平整化后的第一絕緣膜的工藝。

11.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，

進一步包括，在形成該膜的所述工藝之前，在所述半導體襯底上或上方形成互連，和

在形成該膜的所述工藝中，形成所述第一絕緣膜以覆蓋所述互連。