[發明專利]含硅烷醇的光電導體有效
| 申請號: | 200710129088.7 | 申請日: | 2007-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN101105646A | 公開(公告)日: | 2008-01-16 |
| 發明(設計)人: | J·吳;K·-T·丁;K·M·卡麥克;S·M·范杜森;L·-B·林;M·S·勒特克;R·C·U·于 | 申請(專利權)人: | 施樂公司 |
| 主分類號: | G03G5/06 | 分類號: | G03G5/06 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 段曉玲;韋欣華 |
| 地址: | 美國康*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅烷 光電 導體 | ||
技術領域
本公開內容總體上涉及層狀成像元件、感光體、光電導體等。??更具體地,本公開內容涉及多層柔性的帶成像元件,或由任選的支撐介質如基材,光生層,和電荷輸送層,特別是多個電荷輸送層,如第一電荷輸送層和第二電荷輸送層,任選的粘合層,任選的空穴阻擋層或中間涂層,和任選的外涂層構成的器件。
背景技術
本公開內容總體上涉及層狀成像元件、感光體、光電導體等。??更具體地,本公開內容涉及多層柔性的帶成像元件,或由任選的支撐介質如基材,光生層,和電荷輸送層,特別是多個電荷輸送層,如第一電荷輸送層和第二電荷輸送層,任選的粘合層,任選的空穴阻擋層或中間涂層,和任選的外涂層構成的器件,并且其中至少一個電荷輸送層包含至少一種電荷輸送組分、聚合物或樹脂基料、硅烷醇和任選的抗氧劑。此外,至少一個電荷輸送層可以沒有硅烷醇;在實施方案中光生層,和至少一個電荷輸送層可包含硅烷醇;和在實施方案中光生層可包含硅烷醇,并且電荷輸送層可以沒有硅烷醇。在此舉例說明的感光體在實施方案中具有優異的耐水性,延長的壽命,在元件的表面層上成像元件劃痕的消除或最小化,和該劃痕可導致不希望的印刷物故障,其中例如劃痕在產生的最終印刷物上可見。另外,在實施方案中在此公開的成像元件具有優異,和在許多情況下低的Vr(殘余電勢),并且當適當時允許基本防止Vr循環;高靈敏度;低可接受的圖像幻影特性;低背景和/或最小缺電荷點(CDS);和所需的調色劑清潔性。更具體地,在實施方案中在此舉例說明了在成像元件中引入合適的硅烷醇,該硅烷醇可以包括在至少一個電荷輸送層、光生層中,包括在至少一個電荷輸送層和光生層兩者中。至少一個在實施方案中表示例如一個,表示1-約10個,表示2-約7個;表示2-約4個,表示兩個等。此外,硅烷醇可以加入到至少一個電荷輸送層中,即例如替代不溶于電荷輸送層溶液,硅烷醇可以加入到電荷輸送物中作為摻雜劑,和更具體地,硅烷醇可以加入到頂部電荷輸送層中。相似地,硅烷醇可以在此層在基材上的沉積之前包括在光生層分散體中。
在本公開內容的范圍中也包括采用在此舉例說明的感光器件成像和印刷的方法。這些方法通常包括在成像元件上形成靜電潛像,隨后采用調色劑組合物顯影圖像,該組合物由例如熱塑性樹脂、著色劑如顏料、電荷添加劑和表面添加劑構成,參考美國專利4,560,635;4,298,697和4,338,390,該文獻的公開內容在此完全引入作為參考,隨后轉印圖像到合適的基材,并將圖像永久附加到其上。在其中器件要以印刷模式使用的那些環境中,成像方法包括相同的操作,區別在于可以采用激光設備或圖像棒完成曝光。更具體地,在此公開的柔性帶可以選擇用于Xerox?Corporation?iGEN3機器,該機器每分鐘產生超過100個副本,有一些變體。成像,特別是靜電復印成像和印刷,包括數字和/或彩色印刷的方法因此由本公開內容包括。成像元件在實施方案中在例如約400-約900納米,和特別地約650-約850納米的波長區域中敏感,因此二極管激光器可以選擇作為光源。此外,本公開內容的成像元件用于高分辨率彩色靜電復印應用,特別是高速彩色復印和印刷工藝。
發明內容
公開了具有在此舉例說明的許多優點的成像元件,這些優點為例如超過約3,000,000個成像循環的延長使用壽命;優異的電子特性;穩定的電性能;低圖像幻影;低背景和/或最小缺電荷點(CDS);在暴露于某些溶劑的蒸氣時耐電荷輸送層斷裂的性能;優異的表面特性;改進的耐磨性;與許多調色劑組合物的相容性;成像元件擦劃特性的避免或最小化;一致Vr(殘余電勢),該一致的Vr在許多成像循環內基本是平的或沒有變化,如由已知PIDC(光誘導放電曲線)的產生等舉例說明。
也公開了層狀抗擦劃感光成像元件,該元件響應約700-約900納米的近紅外輻射。
另外公開了具有任選空穴阻擋層的柔性成像元件,該空穴阻擋層由金屬氧化物、酚醛樹脂和任選的酚化合物構成,并且該酚化合物包含至少兩個,和更具體地,2-10個酚基團或例如重均分子量為約500-約3,000的酚醛樹脂,允許例如具有優異有效電子輸送的空穴阻擋層,它通常導致所希望的光電導體低殘余電勢V低。
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