[發明專利]光致抗蝕劑層的重工方法與圖案化工藝

無效

• 申請號: 200710128383.0
• 申請日: 2007-07-10
• 公開（公告）號: CN101345191A
• 公開（公告）日: 2009-01-14
• 發明（設計）人: 何青原;卓志臣
• 申請（專利權）人: 力晶半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033;H01L21/308;H01L21/311;H01L21/3213;G03F7/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種光致抗蝕劑層的重工方法，包括：

提供材料層；

于該材料層上依序形成保護層、第一硬掩模層與第一圖案化光致抗蝕劑層，其中該保護層與該第一硬掩模層具有不同的蝕刻選擇性；

移除該第一圖案化光致抗蝕劑層；

移除該第一硬掩模層至暴露出該保護層；以及

于該材料層上依序形成第二硬掩模層與第二圖案化光致抗蝕劑層。

2.如權利要求1所述的光致抗蝕劑層的重工方法，其中該保護層包括氮化硅層。

3.如權利要求1所述的光致抗蝕劑層的重工方法，其中該保護層的厚度介于至

4.如權利要求1所述的光致抗蝕劑層的重工方法，其中該第一硬掩模層的形成方法包括：

于該材料層上形成非晶碳層；以及

于該材料層上形成多層反射層。

5.如權利要求4所述的光致抗蝕劑層的重工方法，其中該多層反射層包括氮氧化硅/氧化硅所組成的復合層。

6.如權利要求4所述的光致抗蝕劑層的重工方法，其中該第一硬掩模層的移除方法包括進行干式蝕刻工藝，以移除該非晶碳層與該多層反射層。

7.如權利要求6所述的光致抗蝕劑層的重工方法，其中該干式蝕刻工藝所使用的氣體源包括四氟化碳。

8.如權利要求4所述的光致抗蝕劑層的重工方法，其中該第一硬掩模層的移除方法包括進行濕式蝕刻工藝，以移除該多層反射層。

9.如權利要求1所述的光致抗蝕劑層的重工方法，還包括在該第一硬掩模層形成之后及該第一圖案化光致抗蝕劑層形成之前，在該材料層上形成抗反射層。

10.如權利要求1所述的光致抗蝕劑層的重工方法，其中該材料層包括氧化硅層。

11.一種圖案化工藝，包括：

提供材料層，該材料層中已形成有對準標記；

于該材料層上依序形成保護層、第一硬掩模層與第一圖案化光致抗蝕劑層，該保護層與該第一硬掩模層具有不同的蝕刻選擇性；

進行顯影后檢視步驟；

移除該第一圖案化光致抗蝕劑層；

移除該第一硬掩模層至暴露出該保護層；

于該材料層上依序形成第二硬掩模層與第二圖案化光致抗蝕劑層；

圖案化該第二硬掩模層；

移除該第二圖案化光致抗蝕劑層；以及

以該第二硬掩模層為掩模，移除部份該材料層，以形成開口。

12.如權利要求11所述的圖案化工藝，其中該保護層與該材料層具有不同的蝕刻選擇性。

13.如權利要求12所述的圖案化工藝，其中該保護層包括氮化硅層。

14.如權利要求13所述的圖案化工藝，其中該保護層的厚度介于至

15.如權利要求13所述的圖案化工藝，其中該第一硬掩模層的材料包括非晶碳、氮氧化硅及氧化硅。

16.如權利要求11所述的圖案化工藝，還包括在形成該開口之后，移除該保護層。

17.如權利要求11所述的圖案化工藝，還包括在該第一硬掩模層形成之后及該第一圖案化光致抗蝕劑層形成之前，在該材料層上形成抗反射層。

18.如權利要求11所述的圖案化工藝，其中該材料層包括硅基底、介電層及導體層。