[發明專利]場發射元件陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200710127862.0
• 申請日: 2007-07-06
• 公開（公告）號: CN101339873A
• 公開（公告）日: 2009-01-07
• 發明（設計）人: 林貞君;潘扶民;張凱鈞;郭全雯;劉梅;莫啟能
• 申請（專利權）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01J9/02
• 分類號: H01J9/02;H01J9/00;H01J29/02;H01J31/12
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陳亮

1.一種場發射元件陣列基板的制造方法，包括：

提供一基板；

形成一陰極導電層于該基板上；

形成一陽極處理層于該陰極導電層上，其中該陽極處理層具有多個孔洞；

于該些孔洞內，分別形成多個電子發射源；

形成一絕緣層，以覆蓋該陽極處理層與該些電子發射源；

形成一柵極材料層于該絕緣層上；以及

圖案化該柵極材料層以形成一柵極層，其中該柵極層與該絕緣層中具有一開口，該開口暴露出該些電子發射源的一部分以及該陽極處理層的一部分。

2.如權利要求1所述的場發射元件陣列基板的制造方法，其特征在于，該些電子發射源包括碳納米管。

3.如權利要求1所述的場發射元件陣列基板的制造方法，其特征在于，形成該些電子發射源的方法包括化學氣相沉積法。

4.如權利要求1所述的場發射元件陣列基板的制造方法，其特征在于，該陽極處理層的材料包括氧化鋁。

5.如權利要求1所述的場發射元件陣列基板的制造方法，其特征在于，該絕緣層的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

6.如權利要求1所述的場發射元件陣列基板的制造方法，其特征在于，該柵極層的材料包括金屬、合金或摻雜半導體。

7.一種場發射元件陣列基板，包括：

一基板；

一陰極導電層，配置于該基板上；

一陽極處理層，配置于該陰極導電層上，且該陽極處理層具有多個孔洞；

多個電子發射源，分別配置于該些孔洞中；

一絕緣層，覆蓋該陽極處理層與該些電子發射源；以及

一柵極層，配置于該絕緣層上，其中該絕緣層與該柵極層中具有一開口，以暴露出該些電子發射源的一部分以及該陽極處理層的一部分。

8.如權利要求7所述的場發射元件陣列基板，其特征在于，該些電子發射源包括碳納米管。

9.如權利要求7所述的場發射元件陣列基板，其特征在于，該陽極處理層的材料包括氧化鋁。

10.如權利要求7所述的場發射元件陣列基板，其特征在于，該絕緣層的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

11.如權利要求7所述的場發射元件陣列基板，其特征在于，該柵極層的材料包括金屬、合金或摻雜半導體。