[發明專利]畫素結構及其形成方法

有效

• 申請號: 200710126458.1
• 申請日: 2007-06-11
• 公開（公告）號: CN101075623A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發明（設計）人: 趙志偉;鄭逸圣;林昆志;陳亦偉
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 郭蔚

1.一種畫素結構，包括：

一基板，具有一晶體管區及一電容區；

一圖案化半導體層形成于該基板上，且一部份的該圖案化半導體層位于該晶體管區上，其中該部份的該圖案化半導體層具有一源區及一漏區；

一介電層，覆蓋于該圖案化半導體層及該基板上；

一圖案化第一金屬層，形成于該晶體管區及該電容區的該介電層上，以形成柵極、掃描線及該電容區上的儲存電容的電極；

一內層介電層，覆蓋于該圖案化第一金屬層及該介電層上；

一圖案化第二金屬層，形成于部份該內層介電層上，所述圖案化第二金屬層經由第一開口連接于所述圖案化半導體層的源區，所述圖案化第二金屬層經由另一第一開口連接于所述圖案化半導體層的漏區；

一保護層，覆蓋于該圖案化第二金屬層及該內層介電層上，其中該保護層及該內層介電層中具有一開口，以暴露出該開口中不包含該第二金屬層的被保留的部份該內層介電層；以及

一圖案化畫素電極，形成于部份該保護層及該開口中的該被保留的部份該內層介電層上，且電性連接該圖案化第二金屬層，該圖案化畫素電極經由該另一第一開口與該圖案化第二金屬層的漏極電性連接。

2.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該電容區具有一第一電容，由該圖案化畫素電極、位于該開口下的該被保留的該內層介電層及位于該電容區的該圖案化第一金屬層所構成。

3.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，一另一部份的該圖案化半導體層，形成于該電容區上。

4.根據權利要求3所述的畫素結構，其特征在于，該電容區具有一第二電容，由位于該電容區的該圖案化第一金屬層、該介電層及位于該電容區的該另一部份的該圖案化半導體層所構成。

5.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該被保留的該內層介電層的厚度小于或等于該內層介電層的原來厚度的50％。

6.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該被保留的該內層介電層的厚度為

7.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該內層介電層具有一第一次層及一第二次層。

8.根據權利要求7所述的畫素結構，其特征在于，該該第一次層及該第二次層的材質的至少一者包含無機材質、有機材質或上述的組合。

9.根據權利要求7所述的畫素結構，其特征在于，該開口中的被保留的該內層介電層的厚度等于或小于該第一次層的厚度。

10.根據權利要求9所述的畫素結構，其特征在于，該第一次層的厚度為

11.根據權利要求7所述的畫素結構，其特征在于，該電容區具有一第一電容，由該圖案化畫素電極、該第一次層及位于該電容區的該圖案化第一金屬層所構成。

12.根據權利要求11所述的畫素結構，其特征在于，一另一部份的該圖案化半導體層，形成于該電容區上。

13.根據權利要求12所述的畫素結構，其特征在于，該電容區具有一第二電容，由位于該電容區的該圖案化第一金屬層、該介電層及位于該電容區的該另一部份的該圖案化半導體層所構成。

14.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該保護層的材質包含無機、有機或上述的組合。