[發明專利]有機發光顯示器件有效
| 申請號: | 200710126428.0 | 申請日: | 2007-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN101086999A | 公開(公告)日: | 2007-12-12 |
| 發明(設計)人: | 梁善芽;吳允哲;李垠政;姜垣錫 | 申請(專利權)人: | 三星SDI株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李湘;梁永 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示 器件 | ||
技術領域
本發明涉及有機發光顯示器件。具體來說,本發明涉及具有能夠控制其亮度的光電傳感器,同時顯示出50%至90%的總體量子效率的有機發光顯示器件。
背景技術
總體來說,有機發光顯示器件為一平板顯示器件,其中電壓可加到介于兩個電極即陽極電極和陰極電極兩者間的多層上,來合并電子和空穴以形成圖像。具體來說,現有的有機發光顯示設備可以包括電極兩者間的空穴注入層、空穴輸運層、至少一個有機發光層、電子注入層、以及電子輸運層。因而,各空穴可以從陽極電極注入到空穴注入層中,從而所注入的各空穴可以通過空穴輸運層輸運至有機發光層。同樣,各電子可以從陰極電極注入到電子注入層中,從而所注入的各電子可以通過電子輸運層輸運至有機發光層。所輸運的各空穴和各電子可以在該有機發光層中相互合并以形成電子空穴對,由此發出可見光并形成圖像。
現有有機發光顯示器件的有機發光層會隨時間而變差,由此造成其發光亮度降低和/或其彩色座標改變。該有機發光層其發光亮度的降低會造成有機發光顯示器件其圖像質量下降和總體壽命縮短。經過各種嘗試以通過在其中結合光電傳感器來改善有機發光顯示器件的亮度。但現有光電傳感器可具有的量子效率低于50%,因此對有機發光顯示器件提供的亮度增強有限。
因而,存在對一種具有能夠控制其亮度的光電傳感器、同時顯示出提高的量子效率的有機發光顯示器件的需求。
發明內容
本發明因此涉及一種充分克服了現有技術其中一個或以上不足的有機發光顯示器件。
因此,本發明其特點在于,提供一種具有能夠控制彩色亮度的光電傳感器同時顯示出增強的量子效率的有機發光顯示器件。
可通過提供一種有機發光顯示器件來實現本發明上述和其他特征和優勢其中的至少一個,該有機發光顯示器件包括:基底;該基底上的第一緩沖層和第二緩沖層;第二緩沖層上的薄膜晶體管;與該薄膜晶體管電連接的有機發光二極管;以及第二緩沖層上的具有本征特性區域的光電傳感器,其中光電傳感器能夠吸收有機發光二極管的紅光并顯示出約50%至約90%的量子效率。所吸收的紅光可具有約645納米至約700納米的波長。
第一緩沖層可具有約2900埃至約3100埃的厚度,第二緩沖層可具有約200埃至約400埃的厚度,而本征特性區域可具有約3微米至約10微米的寬度。作為替代,第一緩沖層可具有約700埃至約900埃的厚度,第二緩沖層可具有約100埃至約300埃的厚度,而本征特性區域可具有約4微米至約10微米的寬度。另一替代方案中,第一緩沖層可具有約700埃至約900埃的厚度,第二緩沖層可具有約300埃至約500埃的厚度,而本征特性區域可具有約5微米至約10微米的寬度。
第一緩沖層可包括二氧化硅。第二緩沖層可包括氮化硅。光電傳感器可包括無定形硅。
光電傳感器其本征特性區域位于N型摻雜區域和P型摻雜區域兩者間,其中所述本征特性區域、N型摻雜區域和P型摻雜區域可以在同一平面上。光電傳感器能夠將所吸收的紅光轉換為電信號。該電信號能夠控制有機發光二極管所發出光的亮度。
有機發光二極管可以是背后型有機發光二極管。有機發光顯示器件可以包括一設置于第二緩沖層上的柵極絕緣層,其中該柵極絕緣層其中一部分可定位于薄膜晶體管和光電傳感器兩者間。有機發光顯示器件也可以在有機發光二極管中包括透明陽極。有機發光顯示器件可以結合于便攜式電子裝置中。
附圖簡述
本發明的上述和/或其它方面和優點將通過以下結合附圖的各個方面的描述變得更加清晰和更容易理解,附圖包括:
圖1示出根據本發明示范性實施例的具有光電傳感器的有機發光顯示器件的剖面圖;
圖2示出圖1所示的光電傳感器的量子效率的圖表;
圖3示出根據本發明另一示范性實施例的具有光電傳感器的有機發光顯示器件的剖面圖;
圖4示出圖3所示的光電傳感器的量子效率的圖表;
圖5示出根據本發明另一示范性實施例具有光電傳感器的有機發光顯示器件的剖面圖;
圖6示出圖5所示的光電傳感器的量子效率的圖表;以及
圖7和圖8示出本發明實施例具有有機發光顯示器件的示范性便攜式電子裝置的視圖。
具體實施方式
2006年6月9日提交給韓國知識產權局的、名稱為“有機發光顯示器件”的韓國專利申請No.10-2006-0052158在此通過引用完整地結合于本文中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





