[發明專利]半穿透半反射式液晶顯示裝置

無效

• 申請號: 200710124822.0
• 申請日: 2007-12-05
• 公開（公告）號: CN101452160A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發明（設計）人: 向瑞杰;林志隆;姚怡安;陳鵲如
• 申請（專利權）人: 群康科技（深圳）有限公司;群創光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/133
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括一第一基板、一與該第一基板相對的第二基板和一夾于該第一、第二基板之間的液晶層，該液晶層包括多個液晶分子，該第一基板包括一公共電極；該第二基板包括多個像素電極；該第一基板、第二基板和該液晶層構成多個像素單元，其特征在于：每一像素單元包括至少一區域分割件和多個該區域分割件劃分的區域，該多個區域分為穿透區和反射區，與該區域分割件對應的像素電極與公共電極之間的距離和該穿透區的像素電極與公共電極之間的距離相異，其也和該反射區的像素電極與公共電極之間的距離相異，使該穿透區和該反射區的液晶分子都呈軸對稱排列。

2.如權利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于：該穿透區和該反射區的液晶分子都以其中心處的垂直于該第一、第二基板的中心軸線呈正立張開的傘狀或倒立張開的傘狀的軸對稱排列。

3.如權利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于：與該穿透區對應的像素電極為穿透電極，與該反射區對應的像素電極為反射電極。

4.如權利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于：與該區域分割件對應的像素電極與公共電極的距離大于該穿透區的像素電極與公共電極的距離，也大于該反射區的像素電極與公共電極的距離。

5.如權利要求4所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于：該第二基板進一步包括一絕緣層，該絕緣層包括多個凹陷部，該像素電極均勻覆蓋該絕緣層，并于該凹陷部凹陷定義該區域分割件。

6.如權利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于：與該區域分割件對應的像素電極與公共電極的距離小于該穿透區的像素電極與公共電極的距離，也小于該反射區的像素電極與公共電極的距離。

7.如權利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于：與該區域分割件對應的像素電極與公共電極的距離小于該穿透區像素電極與公共電極的距離，但大于該反射區的像素電極與公共電極的距離。

8.如權利要求6或7所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于：該第二基板進一步包括一絕緣層，該絕緣層包括多個突出部，該像素電極均勻覆蓋該絕緣層，并于該突出部突出定義該區域分割件。

9.如權利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于：該區域進一步包括一位于該區域中心的第一基板鄰近該液晶層一側的點狀突起、溝槽結構、電極凹陷部或電極突出部，用于配合該區域分割件使該區域的液晶分子呈軸對稱排列。

10.一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括一第一基板、一與該第一基板相對的第二基板和一夾于該第一、第二基板之間的液晶層，該液晶層包括多個液晶分子，該第一基板包括一公共電極；該第二基板包括多個像素電極；該第一基板、第二基板和該液晶層構成多個像素單元，每一像素單元包括多個穿透區和多個反射區，其特征在于：通過改變該公共電極和像素電極之間的距離產生傾斜電場，使該穿透區和該反射區的液晶分子都具多個取向。