[發(fā)明專利]半導(dǎo)體加工系統(tǒng)及其保護(hù)真空壓力敏感元件的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710122007.0 | 申請(qǐng)日: | 2007-09-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101393844A | 公開(公告)日: | 2009-03-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 南建輝;宋巧麗 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京凱特來知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 趙鎮(zhèn)勇 |
| 地址: | 100016北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 加工 系統(tǒng) 及其 保護(hù) 真空 壓力 敏感 元件 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體加工系統(tǒng),包括真空系統(tǒng),所述真空系統(tǒng)連接有大量程真空規(guī)和至少一個(gè)真空壓力敏感元件,所述真空壓力敏感元件與所述真空系統(tǒng)的連接處設(shè)有保護(hù)閥門,其特征在于,還包括壓力信號(hào)處理單元,所述大量程真空規(guī)檢測所述真空系統(tǒng)的壓力信號(hào),并將該信號(hào)輸入給所述壓力信號(hào)處理單元,所述壓力信號(hào)處理單元對(duì)該信號(hào)進(jìn)行處理,并根據(jù)處理的結(jié)果控制所述保護(hù)閥門的開關(guān)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體加工系統(tǒng),其特征在于,所述的壓力信號(hào)處理單元包括信號(hào)處理電路、隔離電路,所述信號(hào)處理電路與所述大量程真空規(guī)電連接;所述隔離電路與所述保護(hù)閥門電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體加工系統(tǒng),其特征在于,所述的信號(hào)處理電路包括參考信號(hào)輸入端、壓力信號(hào)輸入端。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體加工系統(tǒng),其特征在于,所述的隔離電路包括常閉端、常開端、公共端,分別與所述保護(hù)閥門電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體加工系統(tǒng),其特征在于,所述的真空壓力敏感元件包括分子泵、小量程真空規(guī)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體加工系統(tǒng),其特征在于,所述的分子泵的進(jìn)口和出口分別設(shè)有保護(hù)閥門。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體加工系統(tǒng),其特征在于,所述的保護(hù)閥門為氣動(dòng)閥。
8.一種權(quán)利要求1至7所述的半導(dǎo)體加工系統(tǒng)中保護(hù)真空壓力敏感元件的方法,其特征在于,根據(jù)半導(dǎo)體加工系統(tǒng)中的大量程真空規(guī)的壓力信號(hào)控制真空壓力敏感元件的保護(hù)閥門的開關(guān),實(shí)現(xiàn)對(duì)真空壓力敏感元件的保護(hù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的保護(hù)真空壓力敏感元件的方法,其特征在于,將所述大量程真空規(guī)的壓力信號(hào)與預(yù)定的門限值進(jìn)行比較,根據(jù)比較的結(jié)果控制所述保護(hù)閥門的打開或關(guān)閉。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的保護(hù)真空壓力敏感元件的方法,其特征在于,所述的真空壓力敏感元件包括分子泵、小量程真空規(guī)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





