[發(fā)明專利]基于增強(qiáng)型PHEMT的單刀單擲開關(guān)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710121977.9
• 申請日: 2007-09-19
• 公開（公告）號: CN101394174A
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐靜波;張海英;葉甜春
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687;H01P1/15
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 周國城

1、一種基于增強(qiáng)型贗配高電子遷移率場效應(yīng)晶體管的單刀單擲微波開關(guān)，其特征在于，該微波開關(guān)包括三個增強(qiáng)型贗配高電子遷移率場效應(yīng)晶體管E?PHEMT、三個限流電阻R、兩個隔直電容C和兩個電壓控制端，

其中，所述第一電壓控制端V1的正極通過第一限流電阻R1與第一增強(qiáng)型贗配高電子遷移率場效應(yīng)晶體管E?PHEMT1的柵極連接；

所述第二電壓控制端V2的正極通過第二限流電阻R2與第二增強(qiáng)型贗配高電子遷移率場效應(yīng)晶體管E?PHEMT2的柵極連接，通過第三限流電阻R3與第三增強(qiáng)型贗配高電子遷移率場效應(yīng)晶體管E?PHEMT3的柵極連接；

所述E?PHEMT1的漏極、E?PHEMT2的漏極同時與第一隔直電容C1的一端連接，第一隔直電容C1的另一端接輸入端RF?IN；

所述E?PHEMT1的源極、E?PHEMT3的漏極同時與第二隔直電容C2的一端連接，第二隔直電容C2的另一端接輸出端RF?OUT。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于增強(qiáng)型贗配高電子遷移率場效應(yīng)晶體管的單刀單擲微波開關(guān)，其特征在于，所述E?PHEMT2的源極和EPHEMT3的源極均接地。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于增強(qiáng)型贗配高電子遷移率場效應(yīng)晶體管的單刀單擲微波開關(guān)，其特征在于，所述第一電壓控制端V1的負(fù)極和第二電壓控制端V2的負(fù)極均接地。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于增強(qiáng)型贗配高電子遷移率場效應(yīng)晶體管的單刀單擲微波開關(guān)，其特征在于，

當(dāng)E?PHEMTT的柵極電壓為1V時，該E?PHEMT處于導(dǎo)通狀態(tài)；

當(dāng)E?PHEMT的柵極電壓為0～0.2V的閾值電壓時，該E?PHEMT處于關(guān)閉狀態(tài)。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于增強(qiáng)型贗配高電子遷移率場效應(yīng)晶體管的單刀單擲微波開關(guān)，其特征在于，當(dāng)串聯(lián)E?PHEMT1處于開啟狀態(tài)，并聯(lián)E?PHEMT2、E?PHEMT3處于關(guān)閉狀態(tài)時，微波開關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)，插入損耗低，無限射頻RF信號從輸入端RF?IN傳輸?shù)捷敵龆薘F?OUT；當(dāng)串聯(lián)E?PHEMT1處于關(guān)閉狀態(tài)，并聯(lián)E?PHEMT2、E?PHEMT3處于導(dǎo)通狀態(tài)時，微波開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)，隔離度高，RF信號不能從輸入端RF?IN傳輸?shù)捷敵龆薘F?OUT。