[發明專利]半色調掩模板及其制造方法

無效

• 申請號: 200710121735.X
• 申請日: 2007-09-13
• 公開（公告）號: CN101387826A
• 公開（公告）日: 2009-03-18
• 發明（設計）人: 劉圣烈;柳在一
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/08;G03F7/00;B23K26/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉 芳

技術領域

本發明涉及掩模板及其制造方法，特別涉及一種半色調掩模板及其制造方法。

背景技術

半色調掩模板包括透明的基板，基板上設有非透射區域、半透射區域和透射區域，其中半透射區域的透射率介于非透射區域和透射區域的透射率之間。目前，通過多次掩模工藝制造陣列基板或互補型氧化金屬半導體(Complementary?Metal?Oxide?Semiconductor，簡稱為COMS)的過程中，所使用的半色調掩模板通常設計在掩模板一面。即在掩模板一面沉積掩模板材料(Mask?Material)，通過后續工藝在掩模板材料表面形成半透射區域，然后在掩模材料表面沉積半色調材料(Half?Tone?Material)，通過后續工藝蝕刻除半透射區域外的半色調材料。其中掩模板材料通常為鉻(以下簡稱為“Cr”)、半色調材料通常為鉻的氧化物(以下簡稱為“CrOx”)。在基板一面用兩種材料形成半色調掩模板是比較常用的方法，并且被大多生產廠商所采用。

現有技術半色調掩模板的制造方法如下：

圖1為現有技術沉積Cr層的示意圖。在設有非透射區域、半透射區域和透射區域的基板1表面上沉積Cr層2。

圖2為現有技術涂布光刻膠的示意圖。在Cr層2表面涂布光刻膠4，然后通過光刻工藝去掉半透射區域和透射區域的光刻膠4。

圖3為現有技術形成非透射區域的示意圖。通過蝕刻工藝去掉未被光刻膠覆蓋的Cr層2，形成被Cr層2覆蓋的非透射區域。

圖4為現有技術去掉光刻膠的示意圖。通過去膠工藝去掉剩余光刻膠。

圖5為現有技術沉積CrOx層的示意圖。在設置有Cr層2的基板1表面上沉積CrOx層3，使CrOx層3覆蓋整個基板1。

圖6為現有技術涂布光刻膠的示意圖。在CrOx層3表面涂布光刻膠4，然后通過光刻工藝去掉除半透射區域外的光刻膠4。

圖7為現有技術形成半透射區域的示意圖。通過蝕刻工藝去掉未被光刻膠4覆蓋的CrOx層3，形成被CrOx層3覆蓋的半透射區域。

圖8為現有技術去掉光刻膠的示意圖。通過去膠工藝去掉位于CrOx層3上的光刻膠，完成半色調掩模板的制造。

圖9a為用現有方法制造的半色調掩模板的示意圖。掩模板表面有A區域、B區域和C區域，其中A區域為非透射區域；B區域和C區域為半透射區域。但是這種半色調掩模板在C區域出現重疊沉積的現象，即C區域材料層的厚度大于B區域材料層的厚度，導致B區域和C區域具有不同的透射率。

圖9b為用現有方法制造的另一半色調掩模板的示意圖。A區域為非透射區域；B區域和C區域為半透射區域，其中C區域為透射率漸變的區域，導致了半透射區域具有多個透射率。

通過現有方法制造的半色調掩模板由于存在半透射區域出現材料層重疊沉積的情況，導致半透射區域具有多個透射率，降低了掩模板的質量。

發明內容

本發明的目的是提供一種半色調掩模板及其制造方法，有效解決現有半色調掩模板的半透射區域具有多個透射率導致掩模板質量降低的缺陷。

為了實現上述目的，本發明提供一種半色調掩模板，包括基板，基板設有非透射區域、半透射區域和透射區域，在非透射區域設置掩模材料層，在半透射區域的基板表面設有可調節透射率的壓花。

其中，掩模材料層設置在基板的一面，壓花設置在基板的另一面；或者掩模材料層和壓花均設置在基板的同一面。

其中，壓花的切面為錐形、半圓形或者梯形。

其中，半透射區域與非透射區域部分重疊。

為了實現上述目的，本發明還提供一種半色調掩模板的制造方法，包括在基板上設置非透射區域、半透射區域和透射區域，在基板的非透射區域上形成掩模材料層和在基板的半透射區域上形成可調節透射率的壓花。

其中，在基板的非透射區域上形成掩模材料層和在基板的半透射區域上形成可調節透射率的壓花具體為：在非透射區域上形成掩模材料層；用激光照射半透射區域基板表面，在基板表面形成可調節透射率的壓花。

其中，在基板的非透射區域上形成掩模材料層和在基板的半透射區域上形成可調節透射率的壓花具體為：用激光照射半透射區域基板表面，在基板表面形成可調節透射率的壓花；在非透射區域上形成掩模材料層。

其中，掩模材料層形成在基板的一面，壓花形成在基板的另一面；或者掩模材料層和壓花形成在基板的同一面。

其中，半透射區域與非透射區域部分重疊。