[發明專利]一種TFT LCD結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200710121731.1
• 申請日: 2007-09-13
• 公開（公告）號: CN101387800A
• 公開（公告）日: 2009-03-18
• 發明（設計）人: 彭志龍;王威
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/133;H01L27/12;H01L21/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉 芳

1.一種TFT?LCD結構，包括：彩膜基板和陣列基板；所述陣列基板包括：基板；形成在所述基板上的數據線或柵線；覆蓋在所述數據線或柵線的上方的沉積在所述基板的整個表面的絕緣保護層，所述絕緣保護層的上方形成有像素電極；所述彩膜基板和陣列基板在周邊部位通過封框膠進行貼合；所述封框膠中按比例混合有金屬微球，其特征在于：所述封框膠的下方的所述數據線或柵線上方的絕緣保護層上形成有頂層導電膜；所述頂層導電膜與所述陣列基板上的所述像素電極為分隔的不同部分；所述頂層導電膜與所述金屬微球形成接觸互聯。

2.根據權利要求1所述的結構，其特征在于：所述頂層導電膜的材料與位于所述陣列基板上的所述像素電極的材料相同。

3.根據權利要求1或2所述的結構，其特征在于：所述數據線或柵線的材料為鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻或銅。

4.根據權利要求1或2所述的結構，其特征在于：所述絕緣保護層的材料為氮化硅。

5.一種TFT?LCD結構的制造方法，其特征在于，包括：

首先，在基板上形成柵線，薄膜晶體管及數據線，以及，所述數據線或柵線上方的沉積在所述基板的整個表面的絕緣保護層；

接著，使用磁控濺射方法沉積透明電極材料，經過掩模、曝光和刻蝕，形成像素電極，同時在所述數據線或柵線上方的絕緣保護層上形成頂層導電膜，其中所述形成的頂層導電膜位于后續涂敷封框膠區域，且與像素電極隔開設置；

最后，將所述基板與彩膜基板用混合有金屬微球的封框膠進行貼合，所述頂層導電膜與所述金屬微球形成接觸互聯。

6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于：所述形成的數據線或柵線的材料為鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅。

7.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于：所述形成的絕緣保護層材料為氮化硅。