[發明專利]一種利用金屬層縮小π位相偏移光刻特征尺寸的方法有效
| 申請號： | 200710121243.0 | 申請日： | 2007-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN101126898A | 公開（公告）日： | 2008-02-20 |
| 發明（設計）人： | 董小春;史立芳;杜春雷 | 申請（專利權）人： | 中國科學院光電技術研究所 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生專利代理有限責任公司 | 代理人： | 賈玉忠;盧紀 |
| 地址： | 61020*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 利用 金屬 縮小 位相 偏移 光刻 特征 尺寸 方法 | ||
1.一種利用金屬層縮小π位相偏移光刻特征尺寸的方法，包括以下步驟：
(1)依據PDMS的折射率計算產生π位相光程差需要的深度H；
(2)制作浮雕深度為H的高陡直度結構；
(3)將PDMS傾倒于高陡直度結構表面，并在30-90℃的環境中固化，取出冷卻后，剝離已經固化的PDMS膜，形成π位相相移光刻模板；
(4)將基底表面涂覆光刻膠，并在光刻膠表面蒸鍍金屬層；
(5)將π位相相移光刻模板的圖形面與基底表面的金屬層緊密貼合；
(6)采用TM偏振的偏振光垂直照射PDMS材質的π位相相移光刻模板，進行曝光；
(7)曝光完成后，掀掉PDMS模板，并去掉抗蝕劑表面的金屬層；
(8)對抗蝕劑進行顯影，最后形成需要的光刻線條。
2.根據權利要求1所述的利用金屬層縮小π位相偏移光刻特征尺寸的方法，其特征在于：所述步驟(3)中的固化時間為1-4個小時。
3.根據權利要求1所述的利用金屬層縮小π位相偏移光刻特征尺寸的方法，其特征在于：所述步驟(4)中的光刻膠的厚度為幾十納米～幾微米范圍。
4.根據權利要求1所述的利用金屬層縮小π位相偏移光刻特征尺寸的方法，其特征在于：所述步驟(4)中的金屬層為鋁、或金、或銀、或銅。
5.根據權利要求1所述的利用金屬層縮小π位相偏移光刻特征尺寸的方法，其特征在于：所述步驟(4)中金屬層的厚度為10nm-100nm。
6.根據權利要求1所述的利用金屬層縮小π位相偏移光刻特征尺寸的方法，其特征在于：通過調節曝光時間，使所述步驟(8)中最終形成的結構為線條，或為狹縫；
7.根據權利要求1或6所述的利用金屬層縮小π位相偏移光刻特征尺寸的方法，其特征在于：在所述的步驟(7)中，當所述步驟(8)中最終形成的結構為線條時的曝光時間為幾秒到約10分鐘，當所述的步驟(8)中最終形成的結構為狹縫時的曝光時間約為幾秒到幾分鐘范圍。
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