[發明專利]TFT結構和灰階掩膜版結構

有效

• 申請號: 200710119928.1
• 申請日: 2007-08-03
• 公開（公告）號: CN101359690A
• 公開（公告）日: 2009-02-04
• 發明（設計）人: 呂敬
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G03F1/14
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉芳

1.一種灰階掩膜版結構，包括掩膜版，所述掩膜版上設置有可掩膜出源極的源極區域和可掩膜出漏極的漏極區域，其特征在于，所述源極區域和漏極區域之間溝道區域的溝道長度為0.1μm～3.0μm，所述灰階掩膜版結構通過單縫衍射實現TFT結構的制備，所述TFT結構包括源極和漏極，所述源極和漏極之間溝道的溝道長度為0.1μm～3.0μm。

2.根據權利要求1所述的灰階掩膜版結構，其特征在于，所述源極區域為U形狀，矩形狀的漏極區域端部位于所述U形狀內。

3.根據權利要求1所述的灰階掩膜版結構，其特征在于，所述源極區域和漏極區域為相對設置的S形狀，源極區域的鋸齒位于漏極區域的鋸齒之間。

4.根據權利要求1所述的灰階掩膜版結構，其特征在于，所述源極區域和漏極區域為矩形狀，平行設置在柵極線區域上。