[發明專利]醫用鎳鈦記憶合金表面原位除鎳制備納米氧化鈦膜的方法

無效

• 申請號: 200710119704.0
• 申請日: 2007-07-30
• 公開（公告）號: CN101122021A
• 公開（公告）日: 2008-02-13
• 發明（設計）人: 蘇向東;王天民;郝維昌;何力
• 申請（專利權）人: 北京航空航天大學
• 主分類號: C23C28/00
• 分類號: C23C28/00;C23C22/06;C23C22/78;C23F1/28;A61L27/30;A61L27/50
• 代理公司: 北京慧泉知識產權代理有限公司
• 代理人: 王順榮;唐愛華

1.一種醫用鎳鈦記憶合金表面原位除鎳制備納米氧化鈦膜的方法，它提供一種在不溶解鎳鈦記憶合金中鈦的條件下，選擇性地快速溶解鎳，同時生成具有納米多孔網架結構的氧化鈦膜的方法，其特征在于：該方法包括如下步驟：將鎳鈦記憶合金經過機械拋光去掉表面原始氧化層，然后依次用丙酮、無水乙醇超聲清洗；用去離子水按比例配制含有：(a)硝基芳香族化合物10-500g/l、(b)無機酸5-60g/l、(c)胺鹽或銨鹽10-100g/l、(d)過氧化氫5-50g/l的水溶液；然后將經過機械拋光清洗后的鎳鈦記憶合金置于其中，在常壓、低溫10-100℃下進行處理1-20小時，取出后用蒸餾水清洗干凈，自然干燥即成。

2.根據權利要求1所述的醫用鎳鈦記憶合金表面原位除鎳制備納米氧化鈦膜的方法，其特征在于：所述的硝基芳香族化合物為硝基鄰苯二甲酸。

3.根據權利要求1所述的醫用鎳鈦記憶合金表面原位除鎳制備納米氧化鈦膜的方法，其特征在于：所述的硝基芳香族化合物為2-硝基間苯二酚。

4.根據權利要求1所述的醫用鎳鈦記憶合金表面原位除鎳制備納米氧化鈦膜的方法，其特征在于：所述的硝基芳香族化合物為間硝基苯磺酸鈉。

5.根據權利要求1所述的醫用鎳鈦記憶合金表面原位除鎳制備納米氧化鈦膜的方法，其特征在于：所述的無機酸為鹽酸。

6.根據權利要求1所述的醫用鎳鈦記憶合金表面原位除鎳制備納米氧化鈦膜的方法，其特征在于：所述的無機酸為硝酸。

7.根據權利要求1所述的醫用鎳鈦記憶合金表面原位除鎳制備納米氧化鈦膜的方法，其特征在于：所述的無機酸為硫酸。

8.根據權利要求1所述的醫用鎳鈦記憶合金表面原位除鎳制備納米氧化鈦膜的方法，其特征在于：所述的胺鹽為乙二胺。

9.根據權利要求1所述的醫用鎳鈦記憶合金表面原位除鎳制備納米氧化鈦膜的方法，其特征在于：所述的銨鹽為氯化銨。

10.根據權利要求1所述的醫用鎳鈦記憶合金表面原位除鎳制備納米氧化鈦膜的方法，其特征在于：所述的胺鹽為胺三乙酸。