[發明專利]刻蝕裝置有效
| 申請號： | 200710119400.4 | 申請日： | 2007-07-23 |
| 公開（公告）號： | CN101355009A | 公開（公告）日： | 2009-01-28 |
| 發明（設計）人： | 邢濤 | 申請（專利權）人： | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京凱特來知識產權代理有限公司 | 代理人： | 趙鎮勇;姚巍 |
| 地址： | 100016北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 刻蝕 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種刻蝕裝置，包括反應室，反應室內部設有下電極，反應室的側下方連接有抽 氣室，其特征在于，所述反應室下部的側壁與下電極之間設有圓環型氣體通道，所述反應 室內的氣體可通過圓環型氣體通道進入抽氣室；
所述反應室下部的側壁上設有圓環型凸起，所述圓環型凸起與下電極之間形成圓環型 氣體通道；
所述的圓環型凸起、圓環型氣體通道與下電極的中心軸線同軸。
2.根據權利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述的圓環型凸起的截面形狀為三 角形、梯形或弧線型。
3.一種刻蝕裝置，包括反應室，反應室內部設有下電極，反應室的側下方連接有抽 氣室，其特征在于，所述反應室下部的側壁與下電極之間設有圓環型氣體通道，所述反應 室內的氣體可通過圓環型氣體通道進入抽氣室；
所述反應室下部的內徑小于上部的內徑，使所述反應室下部的側壁與下電極之間形成 圓環型氣體通道。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司，未經北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710119400.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：碳纖維生產設備的輥子清理裝置
- 下一篇：一種固晶機點膠臂結構
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
