[發明專利]一種用于以物理氣相傳輸沉淀法生長單晶用的單晶生長設備有效
| 申請號： | 200710119163.1 | 申請日： | 2007-07-17 |
| 公開（公告）號： | CN101144179A | 公開（公告）日： | 2008-03-19 |
| 發明（設計）人： | 吳晟 | 申請（專利權）人： | 吳晟 |
| 主分類號： | C30B23/00 | 分類號： | C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 尹振啟 |
| 地址： | 100080北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 物理 相傳 沉淀 生長 單晶用 設備 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于物理氣相傳輸沉淀法生長單晶用的單晶生長設備，包括管狀的真空生長室，高頻或中頻電源、真空系統、氣壓控制系統，放置單晶原料粉末以及被生長的原始單晶體的石墨坩堝、感應加熱線圈、密封真空生長室上、下端口的法蘭盤，其特征在于，所述管狀的真空生長室由陶瓷材料制成。
2.根據權利要求1所述的單晶生長設備，其特征在于，所述陶瓷材料為剛玉或內、外表面上釉的以高嶺土為基燒結而成的工業陶瓷。
3.根據權利要求2所述的單晶生長設備，其特征在于，所述剛玉的α-Al2O3的含量＞95％。
4.根據上述任意一項權利要求所述的單晶生長設備，其特征在于，所述單晶生長設備可生長SiC單晶或AlN單晶。
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