[發(fā)明專利]包括在柱子底下延伸的源區(qū)/漏區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710112138.0 | 申請(qǐng)日： | 2007-06-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101093855A | 公開(kāi)（公告）日： | 2007-12-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫英雄;尹在萬(wàn);金奉秀;徐亨源 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/78 | 分類號(hào)： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 黃啟行;陸錦華 |
| 地址： | 韓國(guó)京畿道水*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包括 柱子 底下 延伸 場(chǎng)效應(yīng) 晶體管 | ||
1.一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括：
襯底；
遠(yuǎn)離襯底延伸的柱子，該柱子包括鄰近襯底的基體、遠(yuǎn)離襯底的頂部以及在基體和頂部之間延伸的側(cè)壁；
該側(cè)壁上的絕緣柵；
在柱子底下并鄰近絕緣柵的襯底中的第一源區(qū)/漏區(qū)；以及
在柱子底下并遠(yuǎn)離絕緣柵的襯底中的第二源區(qū)/漏區(qū)，與第一源區(qū)/漏區(qū)相比，該第二源區(qū)/漏區(qū)被重?fù)诫s。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中該柱子是I-形柱子，其在基體和頂部之間比相鄰的基體和頂部更窄，以便該側(cè)壁包括基體和頂部之間的凹陷部分，以及其中該絕緣柵包括在凹陷部分上延伸的絕緣層和遠(yuǎn)離側(cè)壁的絕緣層上的柵電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，還包括柱子外面的襯底中的溝槽隔離區(qū)，其中第一和第二源區(qū)/漏區(qū)在鄰近溝槽隔離區(qū)的襯底中延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中與第一源區(qū)/漏區(qū)相比，第二源區(qū)/漏區(qū)進(jìn)一步朝著柱子的中心軸延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中與第二源區(qū)/漏區(qū)相比，第一源區(qū)/漏區(qū)進(jìn)一步朝著柱子的中心軸延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，還包括在柱子底下和第二源區(qū)/漏區(qū)底下的襯底中的第三源區(qū)/漏區(qū)，與第二源區(qū)/漏區(qū)相比，該第三源區(qū)/漏區(qū)被輕摻雜。
7.根據(jù)權(quán)利要求4的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中與第一和第三源區(qū)/漏區(qū)相比，第二源區(qū)/漏區(qū)進(jìn)一步朝著柱子的中心軸延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求2的場(chǎng)效應(yīng)晶體管：
其中第一和第二源區(qū)/漏區(qū)都延伸至凹陷部分底下。
9.根據(jù)權(quán)利要求2的場(chǎng)效應(yīng)晶體管：
其中第一和第二源區(qū)/漏區(qū)延伸至凹陷部分底下；以及
其中第二源區(qū)/漏區(qū)僅僅部分延伸至凹陷部分底下。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的場(chǎng)效應(yīng)晶體管：
其中第二源區(qū)/漏區(qū)延伸至凹陷部分底下；以及
其中第一和第三源區(qū)/漏區(qū)僅僅部分延伸至凹陷部分底下。
11.根據(jù)權(quán)利要求2的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，還包括遠(yuǎn)離絕緣層的柵電極上的側(cè)壁隔片。
12.根據(jù)權(quán)利要求3的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，還包括側(cè)壁上的側(cè)壁隔片，其中溝槽隔離區(qū)從柱子外面至側(cè)壁隔片在襯底中延伸。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，還包括：
鄰近頂部的柱子中的第四源區(qū)/漏區(qū)。
14.一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括：
襯底；
遠(yuǎn)離襯底延伸的I-形柱子，該I-形柱子包括鄰近襯底的基體、遠(yuǎn)離襯底的頂部以及在基體和頂部之間的中間部分，該中間部分比基體和頂部更窄；
該中間部分上的絕緣柵；以及
鄰近基體的襯底中的源區(qū)/漏區(qū)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中該絕緣柵包括中間部分上的絕緣層和遠(yuǎn)離I-型柱子的柵絕緣層上的柵電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，還包括在I-形柱子外面的襯底中的溝槽隔離區(qū)，以及其中源區(qū)/漏區(qū)在鄰近溝槽隔離區(qū)的襯底中延伸。
17.根據(jù)權(quán)利要求14的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中該源區(qū)/漏區(qū)包括：
在I-形柱子底下并鄰近基體的襯底中的第一源區(qū)/漏區(qū)；以及
在I-形柱子底下并遠(yuǎn)離基體的襯底中的第二源區(qū)/漏區(qū)，與第一源區(qū)/漏區(qū)相比，該第二源區(qū)/漏區(qū)被重?fù)诫s。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中與第一源區(qū)/漏區(qū)相比，第二源區(qū)/漏區(qū)進(jìn)一步朝著I-形柱子的中心軸延伸。
19.根據(jù)權(quán)利要求17的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中與第二源區(qū)/漏區(qū)相比，第一源區(qū)/漏區(qū)進(jìn)一步朝著I-形柱子的中心軸延伸。
20.根據(jù)權(quán)利要求14的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中該源區(qū)/漏區(qū)包括：
在I-形柱子底下和鄰近基體的襯底中的第一源區(qū)/漏區(qū)；以及
在I-形柱子底下并遠(yuǎn)離基體的襯底中的第二源區(qū)/漏區(qū)，與第一源區(qū)/漏區(qū)相比，該第二源區(qū)/漏區(qū)被重?fù)诫s；以及
在I-形柱子底下的襯底中并遠(yuǎn)離第一源區(qū)/漏區(qū)的第三源區(qū)/漏區(qū)，與第二源區(qū)/漏區(qū)相比，該第三源區(qū)/漏區(qū)被輕摻雜。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
