[發(fā)明專利]具有熒光體的基板、圖像顯示設備和圖像接收與顯示設備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710111920.0
• 申請日: 2007-06-20
• 公開（公告）號: CN101093772A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發(fā)明（設計）人: 猿田尚士郎
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01J29/20
• 分類號: H01J29/20;H01J31/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王萍

技術領域

本發(fā)明涉及一種利用電子束激發(fā)的電子顯示裝置中所使用的具有熒光體的基板。此外，本發(fā)明涉及一種使用具有熒光體的基板的圖像顯示設備以及圖像接收和顯示設備。

背景技術

在利用借助于施加電場發(fā)射電子的電子發(fā)射器件(下面稱為FED)的常規(guī)已知常規(guī)圖像顯示設備中，在電子源側的陰極基板與作為陽極的前基板之間的間隙出于電子束會聚以及其它原因一般被限制為幾毫米。小的間隙對放電電阻強加了相當?shù)南拗?。因此，不能施加在陰極射線管(下面稱為CRT)中使用的25kV的加速電壓。即使一般被稱為高壓型的FED，也一般使用15kV或更低的加速電壓。因此，和使用CRT的情況相比，供電子越過而進入熒光體層的擴散長度較短，這要求由高的電荷密度來驅動，例如使用大電流電子束進行連續(xù)的驅動，以實現(xiàn)等效于由CRT獲得的亮度。這要求當大的電荷密度被施加時熒光體確保亮度的線性度。

一組長期以來在CRT中使用的并被稱為P22的硫化鋅熒光體一般被用作當前可實用的由電子束激發(fā)的熒光體。長期以來在CRT中使用的P22熒光體典型地甚至被用于FED中，如日本專利公開S63-039982所述。不過，硫化鋅熒光體的發(fā)光衰減時間長達幾十微秒，這是因為通過在由激發(fā)能形成的宿主材料中施主受體的重新組合而導致熒光體發(fā)光。此外，由于例如密度淬火(density?quenching)的影響，和稀土金屬摻雜的內部轉變的磷(inner?transition?phosphor)相比，硫化鋅熒光體的最佳發(fā)光中心濃度較低。這趨于在高電荷密度區(qū)域相當容易地引起激發(fā)的發(fā)光中心的飽和，導致亮度線性度不足，因而不能提供令人滿意的亮度。

提出了許多類型的方案以解決這些問題。日本專利申請待審公開H06-248262披露了一種使用特性不同的熒光體的混合物改善藍色亮度的方法。具體地說，提出了一種混和的發(fā)藍光的熒光體，其包括從一個組中選擇的至少一種熒光體，該組包括鋱活化的釔鋁石榴石熒光體Y₃(Al，Ga)₅O₁₂:Tb、鋱活化的硅酸釔熒光體Y₂SiO₅:Tb、鋱活化的氧氯化鑭熒光體LaOCl:Tb，相對于混和的熒光體的總重量，它們的重量占20％或以下，還包括銀鋁共同活化的硫化鋅熒光體ZnS:Ag，Al作為總重量的其余部分。

日本專利申請待審公開No.2004-339293披露了一種使用從六角晶體ZnS:Ag，Al、六角晶體ZnS:Cu，Al和六角晶體ZnS:Tm，Li中選擇的至少兩種熒光體的混合物的方法。

發(fā)明內容

在日本專利申請待審公開No.06-248262中描述的鋱活化的熒光體的發(fā)光中心的濃度可被增加，不過，鋱活化的熒光體基于禁止的轉變而發(fā)光，因而其發(fā)光衰減時間極短，為幾百微秒。這使得在高電荷密度區(qū)域中被激發(fā)的發(fā)光中心飽和，使得不能足夠地改善亮度。鋱活化的熒光體在較長的波長側提供亮線，具有不能獲得好的顏色純度的嚴重缺點。本發(fā)明人的實驗表明，在日本專利申請待審公開No.2004-339293中說明的混合物提供了好的藍光發(fā)射，但是在亮度和壽命方面方面沒有達到實用的程度。

由上述情況看來，本發(fā)明的目的在于，提供一種熒光體，其能夠在使用高電流密度電子束的高電荷密度的區(qū)域抑制亮度飽和并能夠提供高的亮度。此外，本發(fā)明的目的還在于，提供一種圖像顯示設備和圖像接收與顯示設備，它們使用具有用于解決上述問題的熒光體的下述的基板。

本發(fā)明的第一方面是一種基板，在所述基板的表面的平面內的像素區(qū)域上設置有熒光體，其中所述熒光體通過用電子照射而發(fā)光，并且包括在所述像素區(qū)域內排列的具有較大的γ值的第一熒光體，以及在所述像素區(qū)域內的第一熒光體的周邊排列的具有較小的γ值的第二熒光體。

本發(fā)明的第二方面是其上設置有熒光體的基板，所述熒光體包括借助于電子照射而發(fā)光的第一和第二熒光體，所述第一熒光體由第一密度的電子照射比第二熒光體由第一密度的電子照射發(fā)出較高亮度的光，而第二熒光體由第二密度的電子照射比第一熒光體由第二密度的電子照射發(fā)出較高亮度的光，其中第一密度小于第二密度，其中第一熒光體被布置在基板上對應于第一密度的電子照射的位置，而第二熒光體被布置在基板上對應于第二密度的電子照射的位置。

由下面參照附圖進行的示例的實施例的說明可以清楚地看出本發(fā)明的其它特征。

附圖說明

圖1是用于表示一種圖像顯示設備的內部結構的透視圖，具有包括按照本發(fā)明的熒光體的基板；