[發明專利]高阻抗電平移動放大器

有效

• 申請號: 200710110324.0
• 申請日: 2007-06-13
• 公開（公告）號: CN101090256A
• 公開（公告）日: 2007-12-19
• 發明（設計）人: 詹姆斯·科普蘭·莫耶
• 申請（專利權）人: 美國芯源系統股份有限公司
• 主分類號: H03F1/30
• 分類號: H03F1/30;H03F3/50
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 王波波

1.一種高阻抗電平移動的裝置，包括：

一個電平移動放大器，用于對電壓幅值大于所述電平移動放大器 的供電電壓的輸入信號進行電平移動；

其中所述電平移動放大器包括：

第一晶體管，該第一晶體管的背柵極作為所述電平移動放大器的 輸入端，該第一晶體管的源極作為所述電平移動放大器的輸出端；以 及

柵源極偏置產生電路，耦接于所述輸出端和該第一晶體管的頂柵 極之間。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述柵源極偏置產生電路 包括第二晶體管，該第二晶體管的源極和背柵極連接到所述輸出端。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中柵源極偏置產生電路包括 一個MOSFET。

4.根據權利要求3所述的裝置，其中所述MOSFET是一個N 溝道的MOSFET。

5.根據權利要求2所述的裝置，其中所述第一晶體管與所述第 二晶體管的尺寸不同。

6.一種高阻抗電平移動的裝置，包括：

一個電平移動放大器，包括一個電壓跟隨器電路，所述電壓跟隨 器電路包括：一個匹配電路，該匹配電路包括與所述電壓跟隨器的多 個晶體管匹配的多個晶體管；

所述電平移動放大器用于對電壓幅值大于所述電平移動放大器 的供電電壓的輸入信號進行電平移動，且所述電平移動放大器的輸入 阻抗大于100M歐姆。

7.根據權利要求6所述的裝置，其中所述電壓跟隨器電路包括 至少一個JFET。

8.根據權利要求7所述的裝置，其中所述電壓跟隨器電路包括 一個N溝道JFET。

9.根據權利要求6所述的裝置，還包括一個伺服放大器，該伺 服放大器包括一個連接到所述匹配電路的輸出端。

10.根據權利要求9所述的裝置，所述伺服放大器具有第一輸入 端，用于接收反饋信號。

11.根據權利要求10所述的裝置，所述伺服放大器具有第二輸 入端，用于接收補償基準電壓。

12.根據權利要求11所述的裝置，其中所述電平移動放大器對 輸入信號進行電平移動的量為補償基準電壓的函數。

13.根據權利要求6所述的裝置，還包括一個電流源。

14.根據權利要求13所述的裝置，其中所述電流源包括至少一 個電流鏡。

15.根據權利要求14所述的裝置，其中所述至少一個電流鏡包 括一對雙極晶體管。

16.根據權利要求15所述的裝置，其中所述雙極晶體管包括NPN 雙極晶體管。

17.根據權利要求14所述的裝置，其中所述至少一個電流鏡包 括多個晶體管，其中第一晶體管與第二晶體管的尺寸不同。

18.根據權利要求1或6所述的裝置，其中所述電平移動放大器 的輸入阻抗大于1G歐姆。

19.根據權利要求1或6所述的裝置，其中所述電平移動放大器 的輸入阻抗大于10G歐姆。

20.根據權利要求1或6所述的裝置，其中與輸入信號相關的輸 入偏置電流小于1飛安培。

21.根據權利要求1或6所述的裝置，其中所述電平移動放大器 是一個全橋系統的組成部分。

22.一個高阻抗電平移動的系統，包括：

一個集成電路；

一個在所述集成電路上實施的電平移動放大器，包括一個電壓跟 隨器電路，所述電壓跟隨器電路包括一個第一晶體管和一個第二晶體 管，其中所述第一晶體管與所述第二晶體管的尺寸不同；

所述電平移動放大器用于對電壓幅值大于所述電平移動放大器 的供電電壓的輸入信號進行電平移動；

其中所述電平移動放大器的輸入阻抗大于100M歐姆。