[發明專利]一種存儲器結構及其制作方法有效

申請號：	200710109983.2	申請日：	2007-06-11
公開（公告）號：	CN101325157A	公開（公告）日：	2008-12-17
發明（設計）人：	蕭清南;李培瑛;張明成;黃仲麟;張錫華;吳志祥	申請（專利權）人：	南亞科技股份有限公司
主分類號：	H01L21/28	分類號：	H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247;H01L29/78;H01L29/423;H01L27/115
代理公司：	北京市柳沈律師事務所	代理人：	陶鳳波
地址：	中國臺***	國省代碼：	中國臺灣;71
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	一種存儲器結構及其制作方法
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【說明書】：

技術領域

本發明是有關于一種存儲器結構及其制造方法，且特別是有關于一種快閃存儲器結構及其制造方法。

背景技術

快閃存儲器具有不揮發以及可重復抹除讀寫的特性，加上傳輸快速，所以應用層面非常廣泛，使得近來許多可攜式產品都采用快閃存儲器，在許多的資訊、通訊及消費性電子產品中都已將其當成必要元件。為了提供輕巧及高品質的電子元件產品，提升快閃存儲器的元件積集度與品質便成為資訊產業發展的重點。

請參閱圖1，圖1為習知一雙位元快閃存儲器單元的結構示意圖。如圖1所示，習知快閃存儲器單元的結構包含有一基底10，其上設置一控制柵極12，而控制柵極12兩側各有一浮置柵極14，在浮置柵極14之上設置一側壁子16，另外，于控制柵極12與浮置柵極14之間、控制柵極12與側壁子16之間、浮置柵極14與基底10之間有一介電層18，于控制柵極12與基底10之間有一柵極氧化層20。

上述習知快閃存儲器單元的結構，其缺點在于浮置柵極14的制作較為困難，另外隨著元件設計的尺寸不斷縮小，晶體管柵極溝道長度(gate?channellength)縮短所引發的短溝道效應(short?channel?effect)已成為快閃存儲器元件進一步提升積集度的障礙。因此，發展出新的存儲器結構及工藝，使其具有更小的存儲器單元尺寸且能夠有效的克服短溝道效應是目前半導體業界努力的方向。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種存儲器結構及其制作方法，將控制柵極與浮置柵極嵌入在半導體基底中的溝槽內，藉此改善習知浮置柵極的制作困難度且解決短溝道效應。

根據本發明的優選實施例，本發明提供一種存儲器結構包含：基底，第一溝槽，位于該基底中；第二溝槽，位于該第一溝槽的底部，其開口小于該第一溝槽，其中該第一溝槽與該第二溝槽的側壁構成階梯結構；側壁子位于該階梯結構上，作為浮置柵極；柵極介電層，介于該側壁子與該基底之間；柵極間介電層，設于該側壁子的表面以及該第二溝槽的表面上；導電層，設于該柵極間介電層上，并填滿該第一溝槽以及該第二溝槽，作為控制柵極。

根據本發明的優選實施例，本發明提供一種存儲器結構的制作方法，包含有提供基底，其上包含氧化墊層，以及氮化墊層設于該氧化墊層之上，于該基底中形成第一溝槽；于該第一溝槽表面形成第一柵極介電層；于該第一柵極介電層表面以及該墊層表面覆蓋第一導電層，蝕刻部分該第一導電層，未被蝕刻的該第一導電層于該第一溝槽的側壁上形成側壁子，作為浮置柵極，同時利用該氮化墊層和該側壁子作為掩模，繼續蝕刻該第一溝槽底部，形成第二溝槽；于該側壁子表面、該第二溝槽的側壁以及底面上形成柵極間介電層，于該柵極間介電層上形成第二導電層，并使其填滿該第一溝槽以及該第二溝槽，其中該第二導電層作為控制柵極。

附圖說明

圖1繪示的是習知的雙位元快閃存儲器單元的結構示意圖；

圖2繪示的是本發明優選實施例一種存儲器結構的剖面示意圖；

圖3至圖12繪示的是本發明優選實施例形成存儲器的制作方法示意圖。

主要元件符號說明

10????基底????????????12????控制柵極

14????浮置柵極????????16????側壁子

18????介電層??????????20????柵極氧化層

30????存儲器結構??????32????第一溝槽

34????第二溝槽????????36????階梯結構

38????側壁子??????????40????柵極介電層

42????柵極間介電層????44????導電層