[發明專利]交換式電壓產生電路

有效

• 申請號: 200710109960.1
• 申請日: 2007-06-11
• 公開（公告）號: CN101246374A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 周紹禹;陳炎輝;吳瑞仁;詹偉閔
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G05F1/10
• 分類號: G05F1/10
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳晨

1.?一種交換式電壓產生電路，用以在具有負載電容的負載電路產生交換式電壓，其中上述交換式電壓產生電路包括：

偏壓電路，具有第一端，耦接至具有操作電壓的第一電源節點，以及第二端，耦接至低電壓參考電位，其中位于上述第一端的電壓以非線性的方式與上述操作電壓相關；

充電電容，具有耦接至上述負載電路的第一端；

充電路徑，位于上述充電電容的第二端與上述偏壓電路的第一端之間，其中上述充電路徑對應于時鐘信號；

放電路徑，位于上述充電電容的第二端與上述低電壓參考電位之間，其中上述放電路徑對應于上述時鐘信號；以及

切換電路，耦接于上述充電電容的第一端，用來設定上述充電電容的第一端的電壓，其中上述切換電路對應于上述時鐘信號。

2.?如權利要求1所述的交換式電壓產生電路，其中上述充電路徑包括PMOS晶體管，具有源極耦接至上述偏壓電路的第一端，上述放電路徑包括NMOS裝置，具有源極耦接至上述低電壓參考電位，其中上述PMOS晶體管的漏極耦接至上述NMOS晶體管的漏極，且其中上述PMOS晶體管的柵極以及上述NMOS晶體管的柵極都耦接至上述時鐘信號。

3.?如權利要求1所述的交換式電壓產生電路，其中上述偏壓電路的第一端為小于上述操作電壓的常數電壓。

4.?如權利要求1所述的交換式電壓產生電路，其中上述偏壓電路包括二極管。

5.?如權利要求1所述的交換式電壓產生電路，還包括耦接于上述操作電壓與上述偏壓電路的第一端之間的電流源。

6.?如權利要求1所述的交換式電壓產生電路，其中上述低電壓參考電位為接地點。

7.?一種交換式電壓產生電路，用以在具有負載電容的負載電路產生交換式電壓，其中上述交換式電壓產生電路包括：

電流源，用來提供電流；

偏壓電路，用來接收上述電流，其中上述偏壓電路具有第一端，以及耦接至低電壓參考電位的第二端，且其中位于上述偏壓電路的第一端的電壓與上述交換式電壓產生電路的電源供應電壓的漂移無關；

充電電容，具有耦接至上述負載電路的第一端；

充電路徑，位于上述充電電容的第二端與上述偏壓電路的第一端之間，其中上述充電路徑對應于時鐘信號；

放電路徑，位于上述充電電容的第二端與參考電位之間，其中上述放電路徑對應于上述時鐘信號；以及

切換電路，耦接至上述充電電容的第一端，用來設定上述充電電容的第一端的電壓，其中上述切換電路對應至上述時鐘信號。

8.?如權利要求7所述的交換式電壓產生電路，其中上述偏壓電路的第一端的電壓小于上述電源供應電壓。

9.?如權利要求8所述的交換式電壓產生電路，其中上述偏壓電路包括具有臨界電壓的MOS晶體管，且其中上述偏壓電路的第一端的電壓為上述臨界電壓的函數。

10.?如權利要求8所述的交換式電壓產生電路，其中上述充電路徑包括PMOS晶體管，且其中上述放電路徑包括NMOS晶體管，且其中上述PMOS晶體管的漏極耦接至上述NMOS晶體管的漏極，且其中上述PMOS晶體管的柵極與上述NMOS晶體管的柵極彼此內連。

11.?一種交換式電壓產生電路，用以在具有負載電容的負載電路產生交換式電壓，其中上述交換式電壓產生電路包括：

電流源，用來提供電流；

偏壓電路，用來接收上述電流，其中上述偏壓電路具有第一端，以及耦接至參考電位的第二端，且其中上述偏壓電路的第一端的電壓為一電阻性裝置的電阻值的函數；

PMOS晶體管，具有耦接至上述偏壓電路的第一端的源極；

NMOS晶體管，具有耦接至上述PMOS晶體管的漏極的漏極，以及耦接至上述PMOS晶體管的柵極的柵極，其中上述PMOS晶體管與NMOS晶體管的柵極耦接至時鐘信號；

充電電容，具有第一端，耦接至上述PMOS晶體管與NMOS晶體管的漏極，以及第二端，耦接至上述負載電路；以及

切換電路，耦接至上述充電電容的第二端，用來設定上述充電電容的第二端的電壓，其中上述切換電路對應于上述時鐘信號。

12.?如權利要求11所述的交換式電壓產生電路，其中上述偏壓電路的第一端的電壓不是上述交換式電壓產生電路的電源供應電壓的函數。