[發明專利]電致發光顯示器及電子設備有效
| 申請號: | 200710109906.7 | 申請日: | 2000-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN101083271A | 公開(公告)日: | 2007-12-05 |
| 發明(設計)人: | 小山潤 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;張志醒 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電致發光 顯示器 電子設備 | ||
1.一種發光器件,包括:
第一像素,其包括:
第一源布線;
具有第一溝道寬度的電連接到第一源布線的第一開關薄膜晶體管;
具有第二溝道寬度的電連接到第一開關薄膜晶體管的第一EL驅動器薄膜晶體管;以及
電連接到第一EL驅動器薄膜晶體管的第一EL元件;
第二像素,其包括:
第二源布線;
具有第三溝道寬度的電連接到第二源布線的第二開關薄膜晶體管;
具有第四溝道寬度的電連接到第二開關薄膜晶體管的第二EL驅動器薄膜晶體管;以及
電連接到第二EL驅動器薄膜晶體管的第二EL元件;其中第一EL驅動器薄膜晶體管的第二溝道寬度不同于第二EL驅動器薄膜晶體管的第四溝道寬度;并且
其中第一EL驅動器薄膜晶體管的第二溝道寬度大于第一開關薄膜晶體管的第一溝道寬度。
2.權利要求1的發光器件,其中第一開關薄膜晶體管、第一EL驅動器薄膜晶體管、第二開關薄膜晶體管和第二EL驅動器薄膜晶體管的每一個都包括多晶硅膜。
3.權利要求2的發光器件,其中殘留在多晶硅膜中的Ni的濃度小于2×1017原子/cm3。
4.權利要求1的發光器件,其中第一像素的顏色不同于第二像素的顏色。
5.權利要求1的發光器件,其中第一開關薄膜晶體管和第二開關薄膜晶體管的每一個都包括多柵結構。
6.權利要求1的發光器件,其中第一EL驅動器薄膜晶體管包括具有第一長度的第一LDD區并且第二EL驅動器薄膜晶體管包括具有不同于第一LDD區的第一長度的第二長度的第二LDD區。
7.權利要求1的發光器件,還包括:
在第一EL元件和第二EL元件上形成的鈍化膜。
8.具有權利要求1的發光器件的電子設備,其中該電子設備選自于由EL顯示器、攝像機、數字照相機、車輛導航器、個人計算機、移動電話、移動計算機和電子書籍構成的組。
9.一種發光器件,包括:
在基片上的第一像素,該第一像素包括:
在該基片上形成的具有第一溝道形成區的第一開關薄膜晶體管;
在該基片上形成的具有第二溝道形成區的并且電連接到第一開關薄膜晶體管的第一EL驅動器薄膜晶體管;以及
在第一開關薄膜晶體管和第一EL驅動器薄膜晶體管上形成的并且電連接到第一EL驅動器薄膜晶體管的第一EL元件;
在該基片上形成的第二像素,該第二像素包括:
在該基片上形成的具有第三溝道形成區的第二開關薄膜晶體管;
在該基片上形成的具有第四溝道形成區的并且電連接到第二開關薄膜晶體管的第二EL驅動器薄膜晶體管;以及
在第二開關薄膜晶體管和第二EL驅動器薄膜晶體管上形成的并且電連接到第二EL驅動器薄膜晶體管的第二EL元件,
其中第一絕緣膜被提供在第一EL元件和第一開關薄膜晶體管和第一EL驅動器薄膜晶體管之間,并且提供在第二EL元件和第二開關薄膜晶體管和第二EL驅動器薄膜晶體管之間,
其中在第一EL元件和第二EL元件之上提供第二絕緣膜,
其中第二溝道形成區的第一溝道寬度不同于第四溝道形成區的第二溝道寬度,以及
其中第二溝道形成區的第一溝道寬度大于第一溝道形成區的第三溝道寬度。
10.權利要求9的發光器件,其中第一溝道形成區、第二溝道形成區、第三溝道形成區和第四溝道形成區的每一個都包括多晶硅膜。
11.權利要求10的發光器件,其中殘留在多晶硅膜中的Ni的濃度小于2×1017原子/cm3。
12.權利要求9的發光器件,其中第一像素的顏色不同于第二像素的顏色。
13.權利要求9的發光器件,其中第一開關薄膜晶體管和第二開關薄膜晶體管的每一個都包括多柵結構。
14.權利要求9的發光器件,其中第一EL驅動器薄膜晶體管包括具有第一長度的第一LDD區并且第二EL驅動器薄膜晶體管包括具有不同于第一LDD區的第一長度的第二長度的第二LDD區。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





