[發(fā)明專利]鈮粉、鈮燒結(jié)體和使用該燒結(jié)體的電容器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710109140.2 | 申請日: | 2002-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN101066560A | 公開(公告)日: | 2007-11-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 大森和弘;內(nèi)藤一美;川崎俊哉;和田紘一 | 申請(專利權(quán))人: | 昭和電工株式會(huì)社 |
| 主分類號: | B22F1/00 | 分類號: | B22F1/00;B22F3/10;H01G4/005 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鈮粉 燒結(jié) 使用 電容器 | ||
1.一種用于電容器的鈮粉,具有振實(shí)密度為0.5~2.5g/ml,休止角為10°~60°。
2.權(quán)利要求1中所述的鈮粉,其中,平均粒度是10~1,000微米。
3.權(quán)利要求1中所述的鈮粉,其中,BET比表面積為0.5~40m2/g。
4.權(quán)利要求1中所述的鈮粉,其具有孔徑峰值在0.01~500微米范圍內(nèi)的孔徑分布。
5.權(quán)利要求4中所述的鈮粉,其中,所述孔徑分布具有多個(gè)孔徑峰值。
6.權(quán)利要求4或5中所述的鈮粉,其中,所述孔徑峰值的任一個(gè)都在0.5~100微米范圍內(nèi)。
7.權(quán)利要求1中所述的鈮粉,其中,選自氮、碳、硼和硫元素的至少一種元素的含量為200,000質(zhì)量ppm或更少。
8.一種燒結(jié)體,該燒結(jié)體使用權(quán)利要求1~7的任一項(xiàng)中所述的鈮粉。
9.權(quán)利要求8中所述的燒結(jié)體,其具有孔徑峰值在0.01~500微米的孔徑分布。
10.一種電容器,包含使用權(quán)利要求8~9的任一項(xiàng)中所述的燒結(jié)體的一個(gè)電極、一個(gè)對電極和介于其間的介電材料。
11.權(quán)利要求10中所述的電容器,其中,所述介電材料主要包含氧化鈮。
12.權(quán)利要求10中所述的電容器,其中,對電極是至少一種選自電解質(zhì)溶液、有機(jī)半導(dǎo)體和無機(jī)半導(dǎo)體的材料。
13.權(quán)利要求12中所述的電容器,其中,對電極是有機(jī)半導(dǎo)體,并且有機(jī)半導(dǎo)體是選自包含苯并吡咯啉四聚物和氯醌的有機(jī)半導(dǎo)體、主要包含四硫代并四苯的有機(jī)半導(dǎo)體、主要包含四氰基醌二甲烷的有機(jī)半導(dǎo)體和導(dǎo)電性聚合物的至少一種材料。
14.權(quán)利要求13中所述的電容器,其中,導(dǎo)電性聚合物是至少一種選自聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺及其取代衍生物的成分。
15.權(quán)利要求13中所述的電容器,其中,導(dǎo)電性聚合物是通過向含有下式(1)或(2)表示的重復(fù)單元的聚合物中摻入摻雜劑獲得的導(dǎo)電性聚合物:
其中,R1~R4各自獨(dú)立地表示選自氫原子、含有1~10個(gè)碳原子的直鏈或支鏈的飽和或不飽和烷基、烷氧基或烷基酯基團(tuán)、鹵素原子、硝基、氰基、伯、仲或叔氨基、CF3基團(tuán)、苯基和取代的苯基的一價(jià)基團(tuán);每一對R1和R2、R3和R4任選在任意位置結(jié)合形成二價(jià)鏈,用于與被R1和R2或被R3和R4取代的碳原子一起形成至少一個(gè)3-、4-、5-、6-或7-元飽和或不飽和烴環(huán)結(jié)構(gòu);環(huán)狀結(jié)合的鏈任選在任意位置含有羰基、醚、酯、酰胺、硫醚、亞硫酰基、磺酰基或亞氨基;X表示氧原子、硫原子或氮原子;R5僅當(dāng)X是氮原子時(shí)才存在,并且獨(dú)立地表示氫原子或者含有1~10個(gè)碳原子的直鏈或支鏈的、飽和或不飽和烷基。
16.權(quán)利要求15中所述的電容器,其中,導(dǎo)電性聚合物是含有由下式(3)表示的重復(fù)單元的導(dǎo)電性聚合物:
其中,R6和R7各自獨(dú)立地表示氫原子、含有1~6個(gè)碳原子的直鏈或支鏈的飽和或不飽和烷基,或者一個(gè)取代基,用于形成由在任意位置相互結(jié)合的烷基獲得的含有兩個(gè)氧原子的至少一個(gè)5-、6-或7-元飽和烴環(huán)結(jié)構(gòu);且環(huán)狀結(jié)構(gòu)包括具有可以被取代的亞乙烯基鍵、可以被取代的亞苯基結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。
17.權(quán)利要求13中所述的電容器,其中,導(dǎo)電性聚合物是通過向聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)中摻入摻雜劑獲得的導(dǎo)電性聚合物。
18.權(quán)利要求10中所述的電容器,其中,對電極由至少部分具有層狀結(jié)構(gòu)的材料制成。
19.權(quán)利要求10中所述的電容器,其中,對電極的材料含有有機(jī)磺酸根陰離子作為摻雜劑。
20.一種生產(chǎn)權(quán)利要求1~7的任一項(xiàng)中所述的鈮粉的方法,其包括鈮或鈮化合物的活化處理。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于昭和電工株式會(huì)社,未經(jīng)昭和電工株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710109140.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種激光燒結(jié)設(shè)備及燒結(jié)方法
- 一種激光燒結(jié)設(shè)備
- 一種帶有小燒結(jié)口的燒結(jié)烘箱
- 一種LED燈的銀膠燒結(jié)烘箱
- 一種帶有小燒結(jié)口的燒結(jié)烘箱
- 一種基于材料基因的燒結(jié)礦燒結(jié)模型確定方法和系統(tǒng)
- 一種利用燒結(jié)杯進(jìn)行鐵礦粉燒結(jié)實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)方法
- 一種鋰電池三元單晶正極材料燒結(jié)容器
- 一種制備燒結(jié)陶瓷透水磚用燒結(jié)窯爐
- 一種燒結(jié)煙氣循環(huán)方法以及燒結(jié)煙氣循環(huán)系統(tǒng)





