[發明專利]存儲器的制造方法和存儲器

有效

• 申請號: 200710109088.0
• 申請日: 2004-03-25
• 公開（公告）號: CN101093836A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發明（設計）人: 本間運也;松下重治
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L27/112
• 分類號: H01L27/112;H01L27/22;H01L43/08;G11C11/22;G11C11/15;G11C11/16
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍淳

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

第1電極膜；

存儲材料膜，在所述第1電極膜上形成，包括存儲部和薄膜部，其中，所述薄膜部厚度小于所述存儲部的厚度，而且所述薄膜部的平均厚度在所述存儲部厚度的15％以上；

第2電極膜，在所述存儲材料膜的存儲部上形成；

存儲單元陣列區域，包含具有所述第1電極膜、所述存儲材料膜、所述第2電極膜的單純矩陣式的多個存儲單元；

外圍電路區域，在從平面上看與所述存儲單元陣列區域不同的區域上形成，包含晶體管；以及

抑制氫的擴散的絕緣膜，以實質上全面覆蓋所述存儲單元陣列區域的形成有所述存儲單元的區域的方式形成，不形成于包含所述晶體管的外圍電路區域。

2.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，

所述薄膜部的平均厚度為所述存儲材料膜的存儲部厚度的95％以下。

3.根據權利要求1或2所述的存儲器，其特征在于，

還具有連接所述存儲單元陣列區域和所述外圍電路區域的連接配線，

將所述存儲材料膜圖形化，從而至少使所述存儲材料膜的薄膜部不存在于所述存儲單元陣列區域的所述第1電極膜的上面和所述連接配線的連接區域附近。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的存儲器，其特征在于，

所述第1電極膜包括第1下部電極膜、和形成于所述第1下部電極膜上的第2下部電極膜，

所述第1下部電極膜具有抑制氧擴散的功能。

5.根據權利要求1、2、4中任一項所述的存儲器，其特征在于，

所述存儲材料膜以覆蓋所述第1電極膜的上面及側面的方式形成。

6.根據權利要求1、2、4、5中任一項所述的存儲器，其特征在于，還具備

具有一對源極/漏極區域的晶體管；和

與所述晶體管的源極/漏極區域中的一方相連接的導電性插件，

所述第1電極膜以與所述導電性插件接觸的方式形成。