[發明專利]水射流切割系統無效
| 申請號: | 200710106903.8 | 申請日: | 2007-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN101301736A | 公開(公告)日: | 2008-11-12 |
| 發明(設計)人: | 方贊候 | 申請(專利權)人: | 福祿遠東股份有限公司 |
| 主分類號: | B24C1/00 | 分類號: | B24C1/00;B24C3/32;B24C5/02 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 孟銳;臧慧敏 |
| 地址: | 中國*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 水射流 切割 系統 | ||
1、一種用于切割半導體元件的水射流切割系統,其包含:
門式驅動裝置,其用于提供x-y平面的驅動力;
高壓產生裝置,其用于產生高壓水流;及
切割裝置,其耦接到所述高壓產生裝置及所述門式驅動裝置,以在所述門式驅動裝置的驅動下利用所述高壓水流對所述半導體元件進行切割。
2、如權利要求1所述的水射流切割系統,其中所述門式驅動裝置進一步包含至少一個直線電機。
3、如權利要求1所述的水射流切割系統,其中所述高壓產生裝置包含卷管式高壓管。
4、如權利要求1所述的水射流切割系統,其中所述半導體元件為存儲卡。
5、如權利要求4所述的水射流切割系統,其中所述存儲卡為SD卡、USB-SD卡、Micro?SD卡或MMCmicro卡。
6、如權利要求1所述的水射流切割系統,其進一步包含用于放置所述半導體元件的切割平臺。
7、如權利要求6所述的水射流切割系統,其中所述切割平臺進一步包含第一真空裝置,以將所述半導體元件吸附于所述切割平臺。
8、如權利要求1所述的水射流切割系統,其中所述切割裝置進一步包含混合室,所述混合室包含:
噴嘴,其用于聚集所述高壓水流;及
砂饋送裝置,其用于饋送砂以與所述經聚集的高壓水流混合。
9、如權利要求8所述的水射流切割系統,其中所述砂饋送裝置進一步包含:
送砂管,其饋送來自儲砂裝置的砂;及
第二真空裝置,其用于促使所述送砂管中的砂的流動。
10、如權利要求9所述的水射流切割系統,其中所述砂為石英砂。
11、如權利要求1所述的水射流切割系統,其進一步包含控制裝置,以用于根據所述半導體元件的材料及/或厚度控制所述切割裝置的速度。
12、如權利要求1所述的水射流切割系統,其進一步包含控制裝置,以用于根據所述半導體元件的材料及/或厚度控制所述切割裝置的水壓。
13、如權利要求1所述的水射流切割系統,其進一步包含視頻裝置,以用于協助定位所述切割裝置的位置。
14、如權利要求1所述的水射流切割系統,其進一步包含z軸驅動裝置,以提供所述切割裝置的z軸方向的驅動力。
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