[發明專利]具平坦接觸區的太陽能電池及其制程

無效

• 申請號: 200710106816.2
• 申請日: 2007-05-10
• 公開（公告）號: CN101304057A
• 公開（公告）日: 2008-11-12
• 發明（設計）人: 向國成;陳彥彰;賴一凡;王君芳
• 申請（專利權）人: 科冠能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/042;H01L31/0236
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1、一種具平坦接觸區的太陽能電池工藝，其步驟包括：

太陽能基板表面掩膜布置，其是在一太陽能基板表面區部布置一掩膜，且定義布置該掩膜的表面局部為接觸區，定義布置該掩膜的表面局部以外區域為裸露區，其中該掩膜足以抵抗一溶液侵蝕該太陽能基板表面的接觸區；

裸露區蝕刻，其是將表面布置該掩膜的該太陽能基板浸泡于前述溶液中，該溶液以具選擇性的方向性蝕刻作用蝕刻該太陽能基板表面的裸露區，使得該太陽能基板表面的裸露區粗糙化；

太陽能基板表面掩膜移除，其是移除該太陽能基板表面的掩膜；以及

太陽能基板表面導電層布置，其是在該太陽能基板表面的接觸區布置上一導電層。

2、如權利要求1所述的具平坦接觸區的太陽能電池工藝，其特征在于：該太陽能基板表面掩膜布置步驟是使用網印工藝形成該掩膜。

3、如權利要求2所述的具平坦接觸區的太陽能電池工藝，其特征在于：該掩膜為綠漆。

4、如權利要求1所述的具平坦接觸區的太陽能電池工藝，其特征在于：該太陽能基板表面掩膜布置步驟是使用半導體黃光工藝布置光阻而形成該掩膜。

5、如權利要求1所述的具平坦接觸區的太陽能電池工藝，其特征在于：該太陽能基板表面掩膜布置步驟的太陽能基板具有一P型半導體層且該P型半導體層上具有一N型半導體層。

6、如權利要求1所述的具平坦接觸區的太陽能電池工藝，其特征在于：該太陽能基板表面掩膜布置步驟的太陽能基板具有一P型半導體層，且該太陽能基板表面掩膜移除步驟之后，進一步包括：

藉由摻雜具有五個價電子的原子至該太陽能基板的P型半導體層頂端區域，并形成一N型半導體層。

7、如權利要求1所述的具平坦接觸區的太陽能電池工藝，其特征在于：該太陽能基板表面導電層布置步驟是使用網印工藝形成該導電層。

8、如權利要求1所述的具平坦接觸區的太陽能電池工藝，其特征在于：該太陽能基板表面掩膜移除步驟之后，進一步包括：

抗反射層布置，其是在該太陽能基板的裸露區形成一抗反射層，該抗反射層輔助該太陽能基板減少表面的光反射損失。

9、一種具平坦接觸區的太陽能電池，其包括：

一太陽能基板，且該太陽能基板進一步包括：

一P型半導體層；

一N型半導體層；以及

一導電層；

其中該太陽能基板的上表面局部形成一裸露區且其它區域形成一接觸區，該裸露區為以具選擇性的方向性蝕刻作用的粗糙表面，該接觸區為平坦的表面；以及該導電層布置于該接觸區。

10、如權利要求9所述的具平坦接觸區的太陽能電池，其特征在于：該N型半導體層形成于該P型半導體層上方。

11、如權利要求9所述的具平坦接觸區的太陽能電池，其特征在于：該太陽能基板的裸露區形成一抗反射層。