[發(fā)明專利]避免半導(dǎo)體堆疊發(fā)生微接觸焊點(diǎn)斷裂的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710106720.6
• 申請(qǐng)日: 2007-05-30
• 公開（公告）號(hào): CN101315922A
• 公開（公告）日: 2008-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范文正;方立志;巖田隆夫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 力成科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/00
• 分類號(hào): H01L25/00;H01L25/065;H01L23/488
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

1、一種半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其包含：

一第一半導(dǎo)體封裝件，其包含一第一基板、一第一晶片及復(fù)數(shù)個(gè)上層凸塊，其中該些上層凸塊與該第一晶片是設(shè)置于該第一基板的一上表面；

一第二半導(dǎo)體封裝件，其包含一第二基板、一第二晶片及復(fù)數(shù)個(gè)下層凸塊，其中該些下層凸塊是設(shè)置于該第二基板的一下表面，該第二晶片是設(shè)置于該第二基板的一上表面；以及

復(fù)數(shù)個(gè)焊料，其接合該些上層凸塊與該些下層凸塊；

其中，該第二半導(dǎo)體封裝件是疊設(shè)在該第一半導(dǎo)體封裝件之上，并使該些下層凸塊對(duì)準(zhǔn)于該些上層凸塊，以利均勻焊接，并且該些上層凸塊與該些下層凸塊具有相同的焊料結(jié)合形狀與面積。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其中所述的第一半導(dǎo)體封裝件更包含復(fù)數(shù)個(gè)第二下層凸塊，該些第二下層凸塊是設(shè)置于該第一基板的一下表面。

3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其另包含第二焊料，其是包覆該些第二下層凸塊。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其中所述的第二半導(dǎo)體封裝件更包含復(fù)數(shù)個(gè)第二上層凸塊，該些第二上層凸塊是設(shè)置于該第二基板的一上表面。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其中所述的第一半導(dǎo)體封裝件更包含復(fù)數(shù)個(gè)第一焊線，該第一基板是具有一第一槽孔，該些第一焊線是通過(guò)該第一槽孔而電性連接該第一晶片與該第一基板。

6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其中所述的第一半導(dǎo)體封裝件更包含一第一封膠體，其是形成于該第一槽孔，以密封該些第一焊線。

7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其中所述的第一封膠體是不覆蓋該第一晶片。

8、根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其中所述的第二半導(dǎo)體封裝件是實(shí)質(zhì)相同于該第一半導(dǎo)體封裝，而包含有復(fù)數(shù)個(gè)第二焊線與一第二封膠體。

9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其中所述的該些下層凸塊與該些上層凸塊是具有半錐形截面。

10、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其中所述的該些下層凸塊與該些上層凸塊是為銅柱。

11、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其中所述的第二半導(dǎo)體封裝件具有復(fù)數(shù)個(gè)虛置凸塊，其是設(shè)置于該第二基板的下表面，并位于該第一半導(dǎo)體封裝件的該第一晶片上方，以供散熱。

12、根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其中所述的該些虛置凸塊是接觸該第一晶片的背面。

13、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其中所述的該些焊料具有H形焊接截面。

14、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其中所述的該些焊料是為無(wú)鉛焊劑。

15、一種半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其包含復(fù)數(shù)個(gè)相互堆疊的半導(dǎo)體封裝件，每一半導(dǎo)體封裝件包含一基板、一晶片、復(fù)數(shù)個(gè)下層凸塊及復(fù)數(shù)個(gè)上層凸塊，其中該些下層凸塊是設(shè)置于該基板的一下表面，該些上層凸塊與該晶片是設(shè)置于該基板的一上表面，并且該些上層凸塊與該些下層凸塊是具有相同的焊料接合形狀與面積。

16、根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其中所述的該些上層凸塊與該些下層凸塊的焊料接合形狀是為開口擴(kuò)大的U形。

17、根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其中所述的每一半導(dǎo)體封裝件更包含復(fù)數(shù)個(gè)焊線，該基板是具有一槽孔，該些焊線是通過(guò)該槽孔而電性連接該晶片與該基板。

18、根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其中所述的每一半導(dǎo)體封裝件更包含一封膠體，其是形成于該槽孔，以密封該些焊線。

19、根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其中所述的每一封膠體是不覆蓋該晶片。

20、根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝堆疊裝置，其特征在于其中所述的該些下層凸塊與該些上層凸塊是具有半錐形截面。