[發(fā)明專利]鐵電體電容器、鐵電體電容器的制造方法、鐵電體存儲(chǔ)器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710106713.6
• 申請日: 2007-05-30
• 公開（公告）號: CN101083259A
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 木島健
• 申請（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會(huì)社
• 主分類號: H01L27/00
• 分類號: H01L27/00;H01L27/10;H01L21/02;H01L21/82;H01G4/30
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 余剛;尚志峰

1.一種鐵電體電容器，其特征在于，包括：

基板；

第一電極，形成于所述基板的上方；

第一鐵電體層，形成于所述第一電極的上方，由用Pb(Zr，Ti)O₃表示的復(fù)合氧化物構(gòu)成；

第二鐵電體層，形成于所述第一鐵電體層的上方，是用Pb(Zr，Ti)_1-xNb_xO₃表示的復(fù)合氧化物，并且由利用所述第一鐵電體層的結(jié)晶取向性取向生長而形成的層構(gòu)成，其中0.1≤x≤0.3；以及

第二電極，形成于所述第二鐵電體層的上方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鐵電體電容器，其特征在于，

所述第二鐵電體層還包含0.5mol％以上的Si、或Si及Ge。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鐵電體電容器，其特征在于，

所述第二鐵電體層與所述第一鐵電體層相比，其膜厚更小。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鐵電體電容器，其特征在于，

所述第二電極具有形成于所述第二鐵電體層上的氧化銥層、以及形成于所述氧化銥層上的銥層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鐵電體電容器，其特征在于，

所述第一電極具有從鉑層、銥層以及氧化銥層中選擇的至少一層。

6.一種鐵電體電容器的制造方法，其特征在于，包括：

在基板的上方形成第一電極的工序；

在所述第一電極的上方，用化學(xué)蒸汽沉積法形成用Pb(Zr，Ti)O₃表示的復(fù)合氧化物構(gòu)成的第一鐵電體層的工序；

在所述第一鐵電體層的上方，用溶液法形成用Pb(Zr，Ti)_1-XNb_XO₃表示的復(fù)合氧化物構(gòu)成的第二鐵電體層的工序，其中0.1≤x≤0.3；以及

在形成所述第二鐵電體層的工序之后，在所述第二鐵電體層的上方形成第二電極的工序，

其中，形成所述第二鐵電體層的工序包括：

將所述第二鐵電層的前體組合物涂敷在所述第一鐵電體層上的工序；以及

將涂敷的所述前體組合物結(jié)晶化的工序。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鐵電體電容器的制造方法，其特征在于，

所述第一鐵電體層是通過金屬有機(jī)化學(xué)蒸汽沉積法形成的。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鐵電體電容器的制造方法，其特征在于，所述第二鐵電體層是通過溶膠·凝膠法形成的。

9.一種鐵電體存儲(chǔ)器，其特征在于，包含：

根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的鐵電體電容器。