[發明專利]用于銅膜平面化的鈍化化學機械拋光組合物

無效

• 申請號: 200710106575.1
• 申請日: 2003-12-02
• 公開（公告）號: CN101085901A
• 公開（公告）日: 2007-12-12
• 發明（設計）人: 劉俊;彼得·弗熱施卡;大衛·伯恩哈德;麥肯齊·金;邁克爾·達西羅;卡爾·博格斯
• 申請（專利權）人: 高級技術材料公司
• 主分類號: C09G1/02
• 分類號: C09G1/02;C09G1/14;H01L21/304
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 楊青;樊衛民

1.化學機械拋光組合物，其在還包括基于組合物的總重量濃度從0.3wt％到1wt％的CuSO₄·5H₂O的組合物中測量的Cu的靜態蝕刻速率范圍從200/min到550/min。

2.權利要求1的化學機械拋光組合物，其中組合物包括甘氨酸和第一腐蝕抑制劑。

3.權利要求2的化學機械拋光組合物，其中組合物的pH為3.5。

4.權利要求2的化學機械拋光組合物，其中組合物還包括氧化劑。

5.權利要求1的化學機械拋光組合物，其中與包含濃度為0.3wt％的CuSO₄·5H₂O的組合物接觸的Cu的靜態蝕刻速率的范圍從200/min到220/min。

6.權利要求1的化學機械拋光組合物，包含甘氨酸和至少一種腐蝕抑制劑，其中與包含濃度為0.3wt％的CuSO₄·5H₂O的組合物接觸的Cu的靜態蝕刻速率的范圍從200/min到220/min。

7.權利要求1的化學機械拋光組合物，包含甘氨酸，至少一種腐蝕抑制劑和氧化劑，其中與具有濃度為0.15wt％的腐蝕抑制劑和包含濃度為0.3wt％的CuSO₄·5H₂O的pH3.5的組合物接觸的Cu的靜態蝕刻速率的范圍從200/min到220/min。

8.權利要求2的化學機械拋光組合物，其中第一腐蝕抑制劑包括5-氨基四唑單水合物。

9.權利要求4的化學機械拋光組合物，其中氧化劑包括至少一種選自下列的試劑：硝酸鐵，草酸鐵銨，檸檬酸鐵銨，高錳酸鹽，過氧酸，過硼酸鹽，過氧化氫脲，碘酸鹽，高氯酸鹽，過硫酸鹽，溴酸鹽，苯醌，氯酸鹽，亞氯酸鹽，次氯酸鹽，次碘酸鹽，溴氧化鹽，過碳酸鹽，高碘酸鹽，鈰鹽，鉻酸鹽化合物和重鉻酸鹽化合物，氰銅酸鹽和氰鐵化物鹽，鐵菲咯啉，吡啶鐵和鐵鈰齊。

10.權利要求4的化學機械拋光組合物，其中氧化劑包括過氧化氫。

11.權利要求4的化學機械拋光組合物，還包括與甘氨酸組合的第二螯合劑。

12.權利要求4的化學機械拋光組合物，還包括與第一腐蝕抑制劑組合的第二腐蝕抑制劑。

13.權利要求4的化學機械拋光組合物，還包括研磨劑。

14.權利要求4的化學機械拋光組合物，還包括pH調節劑。

15.權利要求4的化學機械拋光組合物，還包括至少一種胺。

16.權利要求4的化學機械拋光組合物，還包括至少一種表面活性劑。

17.權利要求4的化學機械拋光組合物，還包括溶劑。

18.權利要求2的化學機械拋光組合物，其中第一腐蝕抑制劑包括5-氨基四唑單水合物，并且組合物還包括氧化劑和溶劑。

19.權利要求18的化學機械拋光組合物，還包括研磨劑。

20.權利要求13的化學機械拋光組合物，其中研磨劑包括至少一種選自下列的研磨劑：硅石，氧化鋁，碳化硅，氮化硅，氧化鐵，二氧化鈰，氧化鋯，氧化錫，二氧化鈦，以及氧化鋁包被的膠體硅石。

21.權利要求13的化學機械拋光組合物，其中研磨劑包括氧化鋁。

22.在其上具有銅的基材上拋光銅的方法，包括將基材上的銅在化學機械拋光條件下與對銅有效拋光的化學機械拋光組合物接觸，其中化學機械拋光組合物在還包括基于組合物的總重量濃度從0.3wt％到1wt％的CuSO₄·5H₂O的組合物中測量的Cu的靜態蝕刻速率范圍從200/min到550/min。

23.權利要求22的方法，其中所述化學機械拋光組合物還包括甘氨酸和至少一種腐蝕抑制劑。

24.權利要求23的方法，其中所述化學機械拋光組合物還包括至少一種選自研磨劑，氧化劑，溶劑和其組合的組分。