[發明專利]被構圖介質、該介質的制造方法以及磁記錄/再現裝置無效
| 申請號： | 200710105452.6 | 申請日： | 2007-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN101083086A | 公開（公告）日： | 2007-12-05 |
| 發明（設計）人： | 喜喜津哲;鐮田芳幸;櫻井正敏;白鳥聰志 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | G11B5/65 | 分類號： | G11B5/65;G11B5/84 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 | 代理人： | 楊曉光;李崢 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 構圖 介質 制造 方法 以及 記錄 再現 裝置 | ||
1.一種被構圖介質，其特征在于包括：
被處理成用于磁道、伺服區或數據區的圖形的磁性膜(33)；以及
被填充在所述磁性膜(33)上的用于磁道、伺服區或數據區的各圖形之間的非磁性填充材料，該填充材料包括基材(34、35)和由不組成所述基材(34、35)的金屬構成的阻擋材料(36)。
2.根據權利要求1所述的被構圖介質，其特征在于，所述基材(34、35)由C構成或由Si、Ta或Ti與O或N的化合物構成。
3.根據權利要求1所述的被構圖介質，其特征在于，所述阻擋材料(36)由從Mg、Al、Ti、V、Cu、Zn、Ga、Ge、Sr、Zr、Nb、Mo、In、Sn、Sb、Te、Ba、Hf、Ta和W構成的組中選出來的至少一種金屬形成。
4.根據權利要求1所述的被構圖介質，其特征在于，所述阻擋材料(36)形成一個層。
5.根據權利要求1所述的被構圖介質，其特征在于，所述填充材料的結構為第一基材(34)、阻擋材料(36)和第二基材(35)相互層疊。
6.被構圖介質的制造方法，其特征在于包括：
將磁性膜(33)處理成用于磁道、伺服區或數據區的圖形；
沉積阻擋材料(36)和基材(34、35)，以在所述磁性膜(33)的用于磁道、伺服區或數據區的各圖形之間和之上形成非磁性填充材料；以及
蝕刻在所述磁性膜(33)的所述圖形之上的所述基材(34、35)和所述阻擋材料(36)，所述阻擋材料(36)的蝕刻速率高于所述基材(34、35)的蝕刻速率。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，沉積第一基材(34)、阻擋材料(36)和第二基材(35)。
8.一種磁記錄/再現裝置，其特征在于包括：
根據權利要求1所述的被構圖介質(11)；以及
結合在滑塊(55)中的讀寫頭，其設計的飛行高度為15nm或更小。
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