[發明專利]等離子體處理裝置及其所使用的電極有效
| 申請號: | 200710104890.0 | 申請日: | 2007-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN101083203A | 公開(公告)日: | 2007-12-05 |
| 發明(設計)人: | 笠原稔大 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/3065;H05H1/46;H05H1/34;H05H1/24;H01J37/32;H01J37/04;G02F1/133 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體 處理 裝置 及其 使用 電極 | ||
1.一種電極,其特征在于:
其是在處理室內相對配置第一電極與第二電極,將處理氣體導入到支撐于所述第二電極的平板顯示器用基板上并將高頻電力供給到所述電極的一方或雙方而生成等離子體,由此,作為對所述平板顯示器用基板施行規定的等離子體處理的等離子體處理裝置的所述第一電極用的電極,該電極包括:
電極板,形成有相對所述第二電極向所述處理室內噴出所述處理氣體用的多個氣體噴出孔;
支撐所述電極板的支撐體;
在所述支撐體與所述電極板之間形成的、所述處理氣體導入的中空部;以及
用來將所述中空部劃分成多個室的環狀的劃分壁,其中,
所述電極板通過設置在所述中空部內的多個吊持構件而吊持在所述支撐體上,
所述劃分壁夾入所述支撐體與所述電極板之間而被保持,并可更換。
2.如權利要求1所述的電極,其特征在于:
所述處理氣體流量調整自如地分別導入到利用所述劃分壁所劃分的各室中。
3.如權利要求1或2所述的電極,其特征在于:
所述劃分壁在所述平板顯示器用基板的種類、對所述基板施行的處理的種類、處理條件中的一個或兩個以上變化的情況下,根據這些變化而更換成不同的環形狀的劃分壁。
4.如權利要求1或2所述的電極,其特征在于:
在所述中空部中配置有多個劃分壁。
5.如權利要求1或2所述的電極,其特征在于:
在所述中空部中配置有具有多個框部的劃分壁。
6.一種等離子體處理裝置,其特征在于:
其是在處理室內相對配置第一電極與第二電極,將處理氣體導入到支撐于所述第二電極的平板顯示器用基板上并將高頻電力供給到所述電極的一方或雙方而生成等離子體,由此,對所述平板顯示器用基板施行規定的等離子體處理的等離子體處理裝置,其中,
所述第一電極包括:相對所述第二電極,向所述處理室內噴出所述處理氣體用的多個氣體噴出孔所形成的電極板;支撐所述電極板的支撐體;在所述支撐體與所述電極板之間形成的、所述處理氣體導入的中空部;以及用來將所述中空部劃分成多個室的環狀的劃分壁,其中,
所述電極板通過設置在所述中空部內的多個吊持構件而吊持在所述支撐體上,
所述劃分壁夾入所述支撐體與所述電極板之間而被保持,并可更換。
7.如權利要求6中所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
還設置有向所述第一電極供給處理氣體的處理氣體供給裝置,
所述處理氣體供給裝置包括:處理氣體供給機構;將來自該處理氣體供給機構的處理氣體分支成多股的各分支管;調整通過這些各分支管的流量的流量調整機構;以及將來自所述各分支管的處理氣體分別向由所述劃分壁所劃分的各室導入的配管。
8.一種等離子體處理裝置,其特征在于:
其是在處理室內相對配置第一電極與第二電極,將處理氣體導入到支撐于所述第二電極的平板顯示器用基板上并將高頻電力供給到所述電極的一方或雙方而生成等離子體,由此,對所述平板顯示器用基板施行規定的等離子體處理的等離子體處理裝置,其中,
所述第一電極包括:相對所述第二電極,向所述處理室內噴出所述處理氣體用的多個氣體噴出孔所形成的電極板;支撐所述電極板的支撐體;在所述支撐體與所述電極板之間形成的、所述處理氣體導入的中空部;以及用來將所述中空部劃分成中央部室與周邊部室的環狀的劃分壁,其中,
所述電極板通過設置在所述中空部內的多個吊持構件而吊持在所述支撐體上,
所述劃分壁夾入所述支撐體與所述電極板之間而被保持,并可更換。
9.如權利要求8中所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
還設置有向所述第一電極供給處理氣體的氣體供給裝置,
所述處理氣體供給裝置包括:處理氣體供給機構;將來自該處理氣體供給機構的處理氣體分支成兩股的分支配管;調整通過這些各分支配管的流量的流量調整機構;以及將來自所述各分支配管的處理氣體分別向所述中央部室與所述周邊部室導入的配管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





