[發明專利]顯示裝置及其制造方法無效
| 申請號: | 200710104764.5 | 申請日: | 2007-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN101064340A | 公開(公告)日: | 2007-10-31 |
| 發明(設計)人: | 鄭光哲;崔凡洛;尹寧秀 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 | 代理人: | 韓明星;李友佳 |
| 地址: | 韓國京畿道水*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1、一種顯示裝置,包括:
基底,包括顯示區;
基準電壓供應單元,沿所述顯示區的至少一側設置并將基準電壓提供到所述顯示區,
其中,所述基準電壓供應單元包括:
第一子供應單元,包括將所述基準電壓提供到所述顯示區的第一電壓施加區;
第一絕緣層,設置在所述第一子供應單元上;
第二子供應單元,設置在所述第一絕緣層上并包括將所述基準電壓提供到所述顯示區的第二電壓施加區。
2、根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一子供應單元和所述第二子供應單元設置成相互不直接接觸的單獨的單元。
3、根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述第一子供應單元和所述第二子供應單元部分相互疊置。
4、根據權利要求2所述的顯示裝置,還包括設置在所述第二子供應單元上的第二絕緣層。
5、根據權利要求4所述的顯示裝置,其中,所述第一絕緣層和所述第二絕緣層包括暴露所述第一電壓施加區的第一接觸孔,
所述第二絕緣層包括暴露所述第二電壓施加區的第二接觸孔。
6、根據權利要求5所述的顯示裝置,還包括接觸構件,所述接觸構件覆蓋所述第一電壓施加區和所述第二電壓施加區并包含透明的導電材料。
7、根據權利要求6所述的顯示裝置,其中,所述基準電壓包括共電壓,
所述顯示裝置還包括通過所述接觸構件接收所述共電壓的共電極。
8、根據權利要求4所述的顯示裝置,其中,所述第一絕緣層和所述第二絕緣層形成有通過其暴露所述第一電壓施加區的接觸孔,
所述基準電壓包括驅動電壓,
所述顯示裝置還包括通過所述接觸孔接收所述驅動電壓的驅動電壓線。
9、根據權利要求8所述的顯示裝置,其中,所述驅動電壓線和所述第二子供應單元包含基本相同的材料并設置在所述顯示裝置的同一層上。
10、根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述第一子供應單元包括設置在所述顯示區外面的第一焊盤,所述第二子供應單元包括與所述第一焊盤相鄰的第二焊盤,
所述第一焊盤和所述第二焊盤連接到同一電源單元。
11、根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述第一電壓施加區和所述第二電壓施加區沿著所述基準電壓供應單元的第一側交替并重復地設置,
其中,所述第一側與所述顯示區相對設置。
12、一種顯示裝置,包括:
基底,包括顯示區和非顯示區;
共電壓供應單元,沿著所述顯示區的至少一側設置并將共電壓提供到所述顯示區,
其中,所述共電壓供應單元包括:
第一子供應單元,包括將所述共電壓提供到所述顯示區的第一電壓施加區;
第一絕緣層,設置在所述第一子供應單元上;
第二子供應單元,設置在所述第一絕緣層上并包括將所述共電壓提供到所述顯示區的第二電壓施加區;
第二絕緣層,設置在所述第二子供應單元上,
其中,所述第一絕緣層和所述第二絕緣層包括暴露所述第一電壓施加區的第一接觸孔,所述第二絕緣層還包括暴露所述第二電壓施加區的第二接觸孔。
13、根據權利要求12所述的顯示裝置,其中,所述第一子供應單元和所述第二子供應單元設置成部分疊置但相互不直接接觸的單獨的單元。
14、根據權利要求13所述的顯示裝置,還包括接觸構件,所述接觸構件覆蓋所述第一電壓施加區和所述第二電壓施加區并包含透明的導電材料。
15、根據權利要求14所述的顯示裝置,其中,所述第一子供應單元包括設置在所述非顯示區中的第一焊盤,所述第二子供應單元包括與所述第一焊盤相鄰的第二焊盤,
所述第一焊盤和所述第二焊盤連接到同一電源單元。
16、根據權利要求12所述的顯示裝置,其中,所述第一電壓施加區和所述第二電壓施加區沿著所述共電壓供應單元的第一側交替并重復地設置,
其中,所述第一側與所述顯示區相對設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





