[發(fā)明專利]用于讀磁性存儲(chǔ)介質(zhì)的讀出機(jī)構(gòu)、存儲(chǔ)設(shè)備和方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710104744.8
• 申請(qǐng)日: 2007-04-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101083079A
• 公開(kāi)（公告）日: 2007-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: I·E·伊本;L·L·特雷特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司
• 主分類號(hào): G11B5/02
• 分類號(hào): G11B5/02;G11B19/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所
• 代理人: 王茂華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明總體涉及用于讀磁性存儲(chǔ)介質(zhì)的讀出機(jī)制，該磁性存儲(chǔ)介質(zhì)例如用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的磁帶，并且更具體地，本發(fā)明涉及這樣的讀出機(jī)構(gòu)，其中讀出機(jī)構(gòu)的讀出元件的中點(diǎn)電壓保持相等。

背景技術(shù)

磁帶驅(qū)動(dòng)器是備份數(shù)據(jù)的常用方式。在典型的磁帶驅(qū)動(dòng)器中，磁性存儲(chǔ)帶盒被插入磁帶驅(qū)動(dòng)器中。磁帶驅(qū)動(dòng)器具有讀/寫磁頭以便在寫操作期間，當(dāng)其跨越磁頭移動(dòng)時(shí)將數(shù)據(jù)寫到磁帶，并且以便在讀和寫操作二者期間，當(dāng)其跨越磁頭移動(dòng)時(shí)從磁帶讀數(shù)據(jù)。寫/讀磁頭通過(guò)在寫操作期間磁化磁帶以及通過(guò)在讀操作期間讀磁帶的磁極性轉(zhuǎn)換而起作用。

特別對(duì)于讀操作，磁帶驅(qū)動(dòng)器的讀/寫磁頭具有讀出機(jī)構(gòu)，該讀出機(jī)構(gòu)具有多個(gè)讀出元件。磁帶被移動(dòng)經(jīng)過(guò)讀出元件，并且當(dāng)其移動(dòng)經(jīng)過(guò)讀磁頭時(shí)，讀出元件檢測(cè)出磁帶的磁極性的轉(zhuǎn)換。讀出元件通常是磁阻元件，其中給定讀出元件的電阻根據(jù)讀出元件磁化的量級(jí)和方向而變化。對(duì)于磁性存儲(chǔ)設(shè)備，使用從例如磁帶或磁盤的存儲(chǔ)介質(zhì)發(fā)出的磁性信號(hào)來(lái)改變讀出元件的讀出器磁化。

讀出機(jī)構(gòu)的每個(gè)讀出元件可具有不同的外加電流或偏置電流以便獲得讀出元件對(duì)磁帶的磁極性的最佳靈敏度。每個(gè)讀出元件可具有獨(dú)立于驅(qū)動(dòng)其他讀出元件的電流源或電壓源的自己的電流源或電壓源。需要對(duì)讀出元件進(jìn)行不同地偏置，因?yàn)樽x出元件可具有不同的固有最優(yōu)偏置點(diǎn)。例如，在單個(gè)生產(chǎn)線內(nèi)，磁阻讀出元件的制造容差(tolerance)允許它們的電阻變化達(dá)到二倍。另外，這樣的差異要求部件之間，甚至在具有多個(gè)讀出元件的單個(gè)讀/寫磁頭內(nèi)的部件之間，具有寬范圍的偏置電流。

然而，對(duì)讀出機(jī)構(gòu)的讀出元件進(jìn)行不同的偏置意味著相對(duì)于彼此以及相對(duì)于氣墊面(ABS)的其他部分，讀出元件可處于不同的電壓，該氣墊面是為了由元件進(jìn)行讀出，磁性介質(zhì)經(jīng)過(guò)其移動(dòng)的讀出元件的表面。這些電壓差可造成磁帶和讀出元件的組件之間的電化學(xué)鍍層效應(yīng)以及其他的電化學(xué)效應(yīng)。例如，電化學(xué)鍍層效應(yīng)包括金屬粒子從磁帶到讀出機(jī)構(gòu)的遷移。這些粒子在讀出元件上聚集，并且最終將讀出元件的不同組件電橋接在一起，以阻止它們從磁帶讀磁性信號(hào)的能力。

例如電鍍效應(yīng)的電化學(xué)效應(yīng)可通過(guò)讀出元件和周圍材料之間的電壓差來(lái)加劇，該周圍材料例如磁帶或其中嵌入讀出元件的襯底，以及讀出元件的金屬屏蔽和磁極，其也被稱為讀/寫磁頭。已知通過(guò)相對(duì)于其中金屬被熔解的電鍍槽來(lái)將襯底的電壓設(shè)置在固定的有差異的值上，可完成金屬到襯底上的有意識(shí)的電鍍。盡管是不期望地和不利地，但將材料從磁帶電鍍到讀/寫磁頭上也類似地完成。通過(guò)將所有的組件設(shè)置在相同的電壓上可最小化該電鍍。傳統(tǒng)的電流偏置方案對(duì)所有的讀出元件使用相同的標(biāo)稱偏置電阻，并改變通過(guò)每個(gè)讀出元件的偏置電流。因此結(jié)果是每個(gè)讀出元件處于離固定地電壓的不同的相對(duì)電壓，引起不期望的電化學(xué)鍍層。

因此，在現(xiàn)有技術(shù)中需要阻止在磁帶和讀出機(jī)構(gòu)的讀出元件之間的此類的電化學(xué)鍍層效應(yīng)和其他的電化學(xué)效應(yīng)，同時(shí)仍保持獨(dú)立地改變針對(duì)各個(gè)讀出元件的偏置電流的能力。更具體地，需要具有相對(duì)于彼此處于相同電壓的讀出元件。出于這些和其他原因，所以需要本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明涉及用于讀例如磁帶的磁性存儲(chǔ)介質(zhì)的讀出機(jī)構(gòu)。一種實(shí)施方式的讀出機(jī)構(gòu)包括第一可變電阻元件、第二可變電阻元件和讀出元件。每個(gè)第一可變電阻元件和第二可變電阻元件具有可變電阻。每個(gè)讀出元件具有至少依賴于當(dāng)前正在被讀的磁性存儲(chǔ)介質(zhì)的部分的電阻。每個(gè)讀出元件的第一端電連接到對(duì)應(yīng)的第一可變電阻元件，而每個(gè)讀出元件的第二端電連接到對(duì)應(yīng)的第二可變電阻元件。

對(duì)于每個(gè)讀出元件，讀出元件電連接到的第一可變電阻元件的可變電阻等于讀出元件電連接到的第二可變電阻元件的可變電阻。結(jié)果是，在每個(gè)讀出元件處的中點(diǎn)電壓是相等的。而且，對(duì)于每個(gè)讀出元件，選擇讀出元件電連接到的第一和第二可變電阻元件的可變電阻，從而使得期望的電流流過(guò)該讀出元件。

本發(fā)明的一種實(shí)施方式的存儲(chǔ)設(shè)備包括：一個(gè)或多個(gè)馬達(dá)，用于移動(dòng)磁性存儲(chǔ)介質(zhì)；以及讀出機(jī)構(gòu)，用于當(dāng)磁性存儲(chǔ)介質(zhì)被移動(dòng)時(shí)讀該磁性存儲(chǔ)介質(zhì)。讀出機(jī)構(gòu)包括讀出元件、可變電阻機(jī)構(gòu)和電壓源。每個(gè)讀出元件具有至少依賴于當(dāng)前正在被讀的磁性存儲(chǔ)介質(zhì)的部分的電阻。每個(gè)可變電阻機(jī)構(gòu)電連接到對(duì)應(yīng)的讀出元件的第一端和第二端，以選擇性地改變流過(guò)對(duì)應(yīng)的讀出元件的電流，同時(shí)保持讀出元件處的中點(diǎn)電壓等于每個(gè)其他的讀出元件處的中點(diǎn)電壓。