[發明專利]一種具有溫度補償的裝置

無效

• 申請號: 200710104660.4
• 申請日: 2007-05-28
• 公開（公告）號: CN101101490A
• 公開（公告）日: 2008-01-09
• 發明（設計）人: 林哲煜
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 任默聞

1.一種具有溫度補償的裝置，該裝置包括：

一定電壓供應器，用以提供一定電壓；以及

一補償負載，耦接至所述的定電壓供應器，用以提供一阻抗負載以將所述的定電壓轉換為一定電流，且所述的補償負載包括：

一電阻，耦接至所述的定電壓并具有一負溫度系數；以及

一補償單元，串聯耦接至所述的電阻并具有一正溫度系數，用以根據一溫度變異以補償所述的電阻的一阻抗變異。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述的定電壓供應器包括：

一電壓源，用以接收作為一負反饋信號的所述的定電壓以產生一輸出電壓；以及

一傳遞晶體管，耦接至所述的輸出電壓及所述的定電壓，用以傳遞所述的定電流并將所述的定電流與所述的電壓源彼此隔離。

3.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述的補償單元為一P型金屬氧化半導體晶體管，操作于一線性區或一飽和區。

4.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述的補償單元為一N型金屬氧化半導體晶體管，操作于一線性區或一飽和區。

5.如權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述的N型金屬氧化半導體晶體管的一柵極耦接至所述的定電壓。

6.如權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述的N型金屬氧化半導體晶體管的一柵極耦接至一供應電壓。

7.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述的補償單元為一雙極結型晶體管，操作于一飽和區。

8.如權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述的雙極結型晶體管的一基極耦接至所述的定電壓。

9.如權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述的雙極結型晶體管的一基極耦接至一供應電壓。

10.一種具有溫度補償的裝置，該裝置包括：

一定電壓供應器，用以提供一定電壓；以及

一補償負載，耦接至所述的定電壓供應器，用以提供一阻抗負載以將所述的定電壓轉換為一定電流，且所述的補償負載包括：

一電阻，耦接至所述的定電壓并具有一負溫度系數；以及

一補償單元，并聯耦接至所述的電阻并具有一正溫度系數，用以根據一溫度變異以補償所述的電阻的一阻抗變異。

11.如權利要求10所述的裝置，其特征在于，所述的定電壓供應器包括：

一電壓源，用以接收作為一負反饋信號的所述的定電壓以產生一輸出電壓；以及

一傳遞晶體管，耦接至所述的輸出電壓及所述的定電壓，用以傳遞所述的定電流并將所述的定電流與所述的電壓源彼此隔離。

12.如權利要求10所述的裝置，其特征在于，所述的補償單元為一P型金屬氧化半導體晶體管，操作于一線性區或一飽和區。

13.如權利要求10所述的裝置，其特征在于，所述的補償單元為一N型金屬氧化半導體晶體管，操作于一線性區或一飽和區。

14.如權利要求13所述的裝置，其特征在于，所述的N型金屬氧化半導體晶體管的一柵極耦接至所述的定電壓。

15.如權利要求13所述的裝置，其特征在于，所述的N型金屬氧化半導體晶體管的一柵極耦接至一供應電壓。

16.如權利要求10所述的裝置，其特征在于，所述的補償單元為一雙極結型晶體管，操作于一飽和區。

17.如權利要求16所述的裝置，其特征在于，所述的雙極結型晶體管的一基極耦接至所述的定電壓。

18.如權利要求16所述的裝置，其特征在于，所述的雙極結型晶體管的一基極耦接至一供應電壓。