[發(fā)明專利]圖像顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710104643.0
• 申請日: 2007-05-18
• 公開（公告）號: CN101075053A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發(fā)明（設計）人: 木下將嘉;景山寬;秋元肇
• 申請（專利權）人: 株式會社日立顯示器
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G09G3/36
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 季向岡

技術領域

本發(fā)明涉及內置有能輸入高S/N比的光信號的輸入功能的圖像顯示裝置。

背景技術

近年來，使用了液晶等的圖像顯示裝置由于具有薄型輕量、低功耗這樣的優(yōu)點而被廣泛用作個人計算機、便攜式電話、PDA等的顯示畫面。而且，由于具有觸摸面板和筆輸入這樣的畫面輸入功能，其用途進一步擴大，對于畫面輸入功能的技術開發(fā)也逐漸盛行。但是，要具有畫面輸入功能就要增加與此相應的部件，這將會導致成本上升。而且，以往是分別對顯示器和觸摸面板進行開發(fā)、設計后再提供給組裝廠商。因此，存在著因整合顯示器和觸摸面板而導致的成品率下降、機械強度降低等問題。

以往，用于驅動按每一像素配置的開關元件的驅動電路，相對于集成了開關元件的透明基板是作為外加部件而構成的，但已開發(fā)出可將該驅動電路組裝到透明基板上的技術。同樣，通過將畫面輸入功能所需要的部件組裝到透明基板上，能夠抑制總成本，還能實現(xiàn)使顯示器終端的畫面的邊緣變窄、更進一步的薄型化。

以下，使用圖26說明現(xiàn)有技術。

首先，說明以往例1的結構。圖26示出可輸入光信號的以往例1的液晶圖像顯示裝置的電路構成。設于顯示部210的各像素由顯示像素TFT(Thin?Film?Transistor：薄膜晶體管)202及液晶電容201構成。顯示像素TFT202的柵極連接于柵極線掃描電路212，顯示像素TFT202的源極-漏極路徑的一端連接于液晶電容201，另一端連接于信號輸出電路211。

在顯示部210上設有在用上下具有柵極的TFT形成的光檢測TFT203。光檢測TFT203的一端接地，下柵極連接于底部柵極掃描電路214，上柵極連接于頂部柵極掃描電路215，光檢測TFT203的另一端連接于預充電電路216和光信號讀出電路213。信號輸出電路211、柵極線掃描電路212、光信號讀出電路213、底部柵極掃描電路214、頂部柵極掃描電路215由控制電路217控制。

接著，說明該以往例的動作。

當由柵極線掃描電路212所選擇的預定的顯示像素TFT202導通時，從信號輸出電路211輸出的顯示信號通過所選擇的顯示像素TFT202而被寫入預定像素的液晶電容201，由此能夠在顯示部210顯示影像。由底部柵極掃描電路214及頂部柵極掃描電路215所選擇的光檢測TFT203的光信號輸出在由預充電電路216預先充電了的布線上被讀出，則該光信號能夠由光信號讀出電路213讀出，檢測輸入到顯示部210的寫入光信號圖案。

根據(jù)以往例1，除了在顯示部210顯示影像之外，還可以使用顯示部210檢測二維的光信號圖案。作為這樣的例子，例如在日本特開2000-259346號公報(專利文獻1)等中有更詳細的記載。

通常公知的具有圖像讀取功能的顯示裝置，在形成有液晶驅動用TFT的玻璃基板上形成光傳感器，將其配置于液晶元件與背光燈之間。做成這樣的配置關系時，背光燈照射玻璃基板上的光傳感器，除了由設于畫面上的檢測對象物所反射的光入射到光傳感器之外，背光燈照射的光直接入射到光傳感器。從背光燈直接入射到傳感器的光與由檢測對象物所反射的光無關而使光傳感器產(chǎn)生電流，這成為使檢測由檢測對象物所反射的光的強度的靈敏度即S/N比降低的主要原因。

作為以往例2，公知有為了避免上述S/N比的降低，而在內置了光傳感器的圖像顯示裝置中使玻璃基板的表面朝向背光燈一側方向地配置的結構。通過這樣配置，觸摸畫面的手指的反射光僅通過偏振片和玻璃基板就到達光傳感器，因此由檢測對象物反射的光的光量不會降低，可提高光傳感器的S/N比。作為這樣的例子，例如記載于日本特開2004-140338號公報(專利文獻2)等中。

專利文獻1：日本特開2000-259346號公報

專利文獻2：日本特開2004-140338號公報

發(fā)明內容

在以往例1中，雖然是同時實現(xiàn)圖像輸入和顯示這雙方面特性的構造，但存在難以提高光傳感器的S/N比的問題。當增大光傳感器使其為高靈敏度時，產(chǎn)生傳感器區(qū)域擴大、顯示像素的開口率降低的問題。

尤其是使用液晶顯示裝置時，背光燈的影響較大，視情況不同而有時會有入射到顯示部的光的數(shù)十倍以上強度的背光燈光入射光傳感器元件。除了從其他畫面上入射的太陽光、照明光等強干擾光以及在光傳感器的光二極管中根據(jù)光強度而產(chǎn)生的電子以外，熱電子/空穴對產(chǎn)生的暗電流等的影響也是較大的。

為此，從光傳感器讀出的光信號輸出的S/N比非常小，難以進行高靈敏度、高速的讀出。因此，光傳感器的檢測精度變差，將會導致誤識別等。