[發明專利]制備半導體襯底的方法

有效

• 申請號: 200710104569.2
• 申請日: 2007-05-25
• 公開（公告）號: CN101312125A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發明（設計）人: 村上賢史;森本信之;西畑秀樹;遠藤昭彥
• 申請（專利權）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 呂彩霞;韋欣華

1.一種制備半導體襯底的方法，其包括下述步驟：在形成硅層的活性層晶片上形成厚度不超過50nm的氧化物膜，將氫離子注入活性層晶片以形成氫離子注入層，注入不同于氫的其它離子直到自氫離子注入表面側的深度比氫離子注入層淺的位置，通過所述氧化物膜將活性層晶片層壓到支承襯底的晶片上，然后使活性層晶片在所述氫離子注入層處剝落。

2.一種制備半導體襯底的方法，其包括下述步驟：在形成硅層的活性層晶片上形成厚度不超過50nm的氧化物膜，注入不同于氫的其它離子到活性層晶片中直到比活性層晶片的待剝落的區域淺的位置，將氫離子注入所述待剝落的區域以形成氫離子注入層，通過氧化物膜將活性層晶片層壓到支承襯底的晶片上，然后使活性層晶片在氫離子注入層處剝落。

3.一種如權利要求1或2所述的制備半導體襯底的方法，其中在層壓活性層晶片與支承襯底晶片之前進行等離子處理。