[發明專利]一種單層多晶硅、多位的非易失性存儲元件及其制造方法

有效

• 申請號: 200710104550.8
• 申請日: 2007-05-25
• 公開（公告）號: CN101079448A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 郭明昌
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/788
• 分類號: H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 王英

1、一種非易失性存儲元件，包括：

基板；

電介質層，其形成于該基板上；

控制柵極，其形成于該電介質層上；

第一浮置柵極，其形成于該電介質層上并位于該控制柵極的一側；

第二浮置柵極，其形成于該電介質層上并位于該控制柵極的另一側；

第一擴散區域，其形成于該基板中接近該第一浮置柵極處；

第二擴散區域，其形成于該基板中接近該第二浮置柵極處；

第三擴散區域，其形成于該基板中接近該第一浮置柵極與該控制柵極處；以及

第四擴散區域，其形成于該基板中接近該第二浮置柵極與該控制柵極處，

其中，所述第一擴散區域、第二擴散區域、第三擴散區域、以及第四擴散區域彼此互相分離。

2、如權利要求1所述的非易失性存儲元件，其中該基板為p型基板。

3、如權利要求1所述的非易失性存儲元件，其中該基板為n型基板。

4、如權利要求1所述的非易失性存儲元件，其中該第一與第二浮置柵極以及控制柵極，可利用單一多晶硅工藝而制造。

5、如權利要求1所述的非易失性存儲元件，其中該控制柵極與該第一擴散區域配置成施加至控制柵極以及第一擴散區域的電壓與該第一浮置柵極耦合。

6、如權利要求5所述的非易失性存儲元件，其中介于該控制柵極與該第一浮置柵極之間的電容，為介電常數乘以該控制柵極的高度，再乘以該控制柵極的寬度，而接著除以介于該控制柵極與該浮置柵極之間的距離。

7、如權利要求6所述的非易失性存儲元件，其中該控制柵極的高度為800至1500埃。

8、如權利要求6所述的非易失性存儲元件，其中介于該控制柵極與該第一浮置柵極之間的距離為160至300埃。

9、如權利要求1所述的非易失性存儲元件，其中介于該第一浮置柵極與該第一擴散區域之間的電容，為介電常數乘以在該第一浮置柵極之下、該第一擴散區域之上的該電介質層的長度，再乘以該第一浮置柵極的寬度，而接著除以該電介質層的厚度。

10、如權利要求9所述的非易失性存儲元件，其中位于該第一浮置柵極之下、該第一擴散區域之上的該電介質層的長度，為100至300埃。

11、如權利要求9所述的非易失性存儲元件，其中該電介質層的厚度為50至250埃。

12、如權利要求1所述的非易失性存儲元件，其中該控制柵極與該第二擴散區域，配置成通過施加至該控制柵極及該第二擴散區域的電壓而與該第二浮置柵極耦合。

13、如權利要求12所述的非易失性存儲元件，其中介于該控制柵極與該第二浮置柵極之間的電容，為介電常數乘以該控制柵極的高度，再乘以該控制柵極的寬度，而接著除以介于該控制柵極與該浮置柵極之間的距離。

14、如權利要求13所述的非易失性存儲元件，其中該控制柵極的高度為800至1500埃。

15、如權利要求13所述的非易失性存儲元件，其中介于該控制柵極與該第二浮置柵極之間的距離為160至300埃。

16、如權利要求1所述的非易失性存儲元件，其中介于該第二浮置柵極與該第二擴散區域之間的電容為介電常數乘以該電介質層的長度，再乘以該第二浮置柵極的寬度，而接著除以該電介質層的厚度，其中該電介質層位于該第二浮置柵極之下以及該第二擴散區域之上。

17、如權利要求16所述的非易失性存儲元件，其中位于該第二浮置柵極之下以及該第二擴散區域之上的該電介質層的長度為100至300埃。

18、如權利要求9所述的非易失性存儲元件，其中該電介質層的厚度為50至250埃。

19、如權利要求1所述的非易失性存儲元件，其中該器件配置成存儲二位的信息。