[發明專利]表面改性的碳納米管及其表面改性方法有效
| 申請號: | 200710104510.3 | 申請日: | 2007-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN101311109A | 公開(公告)日: | 2008-11-26 |
| 發明(設計)人: | 胡志明;黃勇翔 | 申請(專利權)人: | 財團法人工業技術研究院 |
| 主分類號: | C01B31/02 | 分類號: | C01B31/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 張平元;趙仁臨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 表面 改性 納米 及其 方法 | ||
1.一種碳納米管的表面改性方法,包括:
提供碳納米管;以及
在該碳納米管的部分表面形成硬質無機層,即得表面改性的碳納米管;
其中該硬質無機層系由醇化物縮合而成,且形成該硬質無機層的步驟包括:
熱處理該醇化物,形成一縮合的醇化物;以及
將該縮合的醇化物接枝于該碳納米管的部分表面;
其中該醇化物為烷氧基乙烯基硅烷。
2.如權利要求1所述的碳納米管的表面改性方法,其中該碳納米管包括多層碳納米管、雙層碳納米管、單層碳納米管、碳納米纖維、或上述的組合。
3.如權利要求1所述的碳納米管的表面改性方法,其中該醇化物為三甲氧基乙烯基硅烷、三乙氧基乙烯基硅烷、二乙酰氧基甲基乙烯基硅烷、二乙氧基甲基乙烯基硅烷、三乙酰氧基乙烯基硅烷、三異丙氧基乙烯基硅烷、三叔丁氧基乙烯基硅烷、或上述的組合。
4.如權利要求1所述的碳納米管的表面改性方法,其中該醇化物與該碳納米管的用量摩爾比例介于2∶0.1至2∶5之間。
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