[發明專利]使用非易失性高速緩存的存儲裝置及其控制方法

無效

• 申請號: 200710104435.0
• 申請日: 2007-04-20
• 公開（公告）號: CN101059752A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發明（設計）人: 吉田賢治;西出康一;鷹居賴治
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G11C16/10;G11C29/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 楊曉光;于靜

技術領域

本發明的一個實施例涉及使用非易失性高速緩存的存儲裝置及其控制方法，且能夠實現低功耗和高速讀取/寫入操作的該存儲裝置被配置為特別消除重要數據的存儲錯誤。

背景技術

近些年來，其上可裝有存儲卡(memory?card)和硬盤(HD)驅動器的存儲裝置得到了發展(參照日本專利申請公開No.2004-055102)，其中，存儲卡為半導體存儲介質，硬盤驅動器使用作為磁存儲介質的硬盤。例如，取自外部的存儲卡數據可被備份到作為磁存儲介質的硬盤(HD)上。另外，硬盤(HD)的數據可被傳送到存儲卡并可被由此取出。

作為移動存儲裝置，使用閃存的存儲裝置得到了開發(參照日本專利公開No.3407317)。當閃存擦除操作的次數變大時(例如100,000次)，閃存上發生大量錯誤，因此，人們做出了努力以解決上述問題。例如，提供了抑制特定區域的擦除操作次數變得較大的數據管理方法。

如上所述，存在使用多個不同類型的記錄介質的裝置，但它們各自具有優點與缺點。盡管存儲卡和閃存等半導體裝置具有低的功耗和高的寫入速度，它們不適用于存儲大容量數據。另一方面，硬盤適用于長時間存儲大容量數據，但其在低功耗和高速數據寫入方面劣于半導體裝置。

發明內容

本發明的實施例的目的在于提供一種存儲裝置及其控制方法，該存儲裝置提供用于在多個不同類型的存儲介質中存儲數據的指令并使用能夠消除重要數據存儲錯誤的非易失性高速緩存。

根據本發明的一個實施形態，提供了一種存儲裝置，該存儲裝置包括：主機接口；硬盤接口，其作為到硬盤的接口；閃存接口，其作為到閃存的接口；指令分析部分，其分析從主機接口輸入的指令；數據寫入操作處理部分，當在指令分析部分中分析的指令是作為將數據寫入多個介質的指令的、用于貫穿寫入(write-through)的預定指令時，其在硬盤和閃存上進行數據寫入操作。

實施例的其他目的和優點將在后面的介紹中給出，并在一定程度上可從介紹明了或可從本發明的實踐中理解。借助下文特別指出的手段及組合，可以實現和獲得本發明的目的和優點。

附圖說明

附圖被包含在說明書中并構成說明書的一部分，其示出了本發明的實施例，并與上面給出的概述以及下面給出的對實施例的詳細介紹一起用于闡釋本發明的原理。

圖1為一典型框圖，其示出了根據本發明一實施例的總體構造；

圖2示出了圖1所示閃存的特征；

圖3示出了圖1所示閃存接口與控制器311的功能；

圖4示出了圖1所示閃存的數據區域的一個實例；

圖5為一流程圖，其示出了圖1所示裝置的一個運行實例；

圖6為一流程圖，其示出了圖1所示裝置的另一運行實例；

圖7為一流程圖，其示出了圖1所示裝置的進一步的運行實例；

圖8為一流程圖，其示出了圖1所示裝置何時轉換到貫穿寫入操作模式的一個判定實例。

具體實施方式

下面將參照附圖介紹本發明的不同實施例。

一個實施例提供了一種存儲裝置及其控制方法，該存儲裝置提供了用于在多個不同類型的存儲介質中存儲數據的指令并使用了能夠消除重要數據的存儲錯誤的非易失性高速緩存。

本實施例包括：主機接口；硬盤接口，其作為到硬盤的接口；閃存接口，其作為到閃存的接口；指令分析部分，其對從主機接口輸入的指令的內容進行分析；數據寫入操作處理部分，當在指令分析部分中分析的指令是作為將數據寫入多個介質的指令的、用于貫穿寫入的預定指令時，其在硬盤和閃存上進行數據寫入操作。

使用上述過程并通過利用預定指令，能夠改善數據處理和數據寫入操作的可靠性。

現在將更為具體地對該實施例進行介紹。

<整體構造和功能>

首先，參照圖1闡釋本實施例的總體方塊的實例。參考標號100表示主機裝置，其例如為個人計算機中的控制部分。參考標號200表示使用非易失性高速緩存的存儲裝置。存儲裝置200包括：例如作為緩沖器的SDRAM?201；單片大規模集成電路(LSI)202，其上裝有將在后文介紹的控制器等等；閃存203，其作為非易失性存儲器；硬盤(HD)204，其由硬盤驅動器(未示出)進行驅動。

LSI?202包括控制器311、主機接口312、SDRAM接口313、盤接口314和閃存接口315。SDRAM?201可被包含在LSI?202中。另外，不僅SDRAM、還有閃存與SDRAM二者或僅閃存可被包含在LSI中。