[發明專利]從有機氨基硅烷前體制備氧化硅薄膜的方法

有效

• 申請號: 200710104246.3
• 申請日: 2007-05-23
• 公開（公告）號: CN101078109A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: H·思里丹達姆;蕭滿超;雷新建;T·R·加夫尼
• 申請（專利權）人: 氣體產品與化學公司
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/448
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 張軼東;韋欣華

1.一種在底物上形成氧化硅薄膜的方法，該方法包括：

通過將氧化劑與下式表示的硅烷前體反應，以化學氣相淀積方 法在底物上形成氧化硅薄膜，

其中R和R¹是異丙基。

2.權利要求1的方法，其中所述的氧化劑選自氧氣、過氧化氫、 臭氧和一氧化氮。

3.權利要求1或2的方法，其中碳源和氫源被摻入到沉積室內 用于形成摻雜了碳和氫的氧化硅薄膜。

4.權利要求3的方法，其中氮源被摻入到沉積室內用于形成摻 雜了碳、氮和氫的氧化硅薄膜。

5.一種通過化學氣相淀積法在化學氣相淀積室內在底物上制備 氧化硅介電層的方法，該方法包括：在使二異丙基氨基硅烷與氧化 劑反應的條件下將所述二異丙基氨基硅烷和所述氧化劑引入到所述 的化學氣相淀積室內并且在所述的底物上沉積氧化硅層。

6.權利要求5的方法，其中所述的氧化劑選自臭氧、氧氣、一 氧化氮和過氧化氫。

7.權利要求6的方法，其中在所述化學氣相淀積室內使用350 -700℃的溫度和0.1-500托的壓力。

8.權利要求6的方法，其中氧化劑與二異丙基氨基硅烷的摩爾 比是每摩爾二異丙基氨基硅烷使用0.1-10摩爾氧化劑。

9.一種通過化學氣相淀積法在化學氣相淀積室內在底物上制備 氧氮化硅介電層的方法，該方法包括：

在使二異丙基氨基硅烷與氧化劑和氮源反應的條件下將所述二 異丙基氨基硅烷、所述氮源和所述氧化劑引入到所述的化學氣相淀 積室內，從而在所述的底物上沉積氧氮化硅層。

10.權利要求9的方法，其中所述的氧化劑選自臭氧、氧氣、 一氧化氮和過氧化氫。

11.權利要求9的方法，其中所述的氮源選自氨、肼、烷基肼、 二烷基肼及其混合物。

12.權利要求1、5或9任一項的方法，其中所述化學氣相淀積 是原子層沉積法。