[發(fā)明專利]半導體晶片封裝體及其封裝方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710104200.1
• 申請日: 2004-03-02
• 公開（公告）號: CN101064291A
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發(fā)明（設計）人: 沈育濃
• 申請（專利權）人: 沈育濃
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 李樹明

1.一種半導體晶片封裝體，其特征在于：包含：

一半導體晶片，其具有一焊墊安裝表面及數個安裝于該焊墊安裝表面上的焊墊；

數個導電體，每一導電體具有一在該晶片的焊墊安裝表面上延伸作為電路軌跡的延伸部及一延伸連接到一對應的焊墊的導電連接部；

一保護層，其是形成于該晶片的整個焊墊安裝表面上且覆蓋該導電體，于該保護層上形成有數個連通到對應的導電體的通孔；及

數個導電球，每一導電球是形成于對應的通孔內并且是與對應的導電體電氣連接。

2.如權利要求1所述的半導體晶片封裝體，其特征在于：該半導體晶片為從一晶圓切割出來的單一晶片。

3.如權利要求1所述的半導體晶片封裝體，其特征在于：該半導體晶片為未從一晶圓切割出來的晶片。

4.如權利要求1所述的半導體晶片封裝體，其特征在于：于該晶片的每一焊墊上形成有一電鍍層。

5.如權利要求1所述的半導體晶片封裝體，其特征在于：該導電體是由導電金屬膠制成。

6.如權利要求5所述的半導體晶片封裝體，其特征在于：該導電金屬膠為摻雜有導電金屬的導電金屬膠。

7.如權利要求1所述的半導體晶片封裝體，其特征在于：該保護層對應于該晶片的焊墊形成有數個被填注有覆蓋材料的覆蓋材料容置空間。

8.如權利要求7所述的半導體晶片封裝體，其特征在于：該覆蓋材料為環(huán)氧樹脂。

9.如權利要求1所述的半導體晶片封裝體，其特征在于：更包含數個導電層，每一導電層至少形成于對應的導電體的延伸部上并且是與對應的導電球電氣連接。

10.如權利要求9所述的半導體晶片封裝體，其特征在于：每一導電層包含一利用電鍍方式以鎳為材料形成的鎳層。

11.如權利要求9所述的半導體晶片封裝體，其特征在于：每一導電層包含一利用電鍍方式以金為材料形成的金層。

12.如權利要求1所述的半導體晶片封裝體，其特征在于：更包含數個被形成于該晶片的對應的焊墊上的凸塊，每一凸塊是與對應的導電體的導電連接部接觸。

13.一種半導體晶片封裝體，其特征在于：包含：

一半導體晶片，其具有一焊墊安裝表面及數個安裝于該焊墊安裝表面上的焊墊；

數個導電接腳，該導電接腳是被設置于該晶片的焊墊安裝表面上；

數個導電體，每一導電體電氣連接對應的導電接腳和該晶片的對應的焊墊；

一保護層，其是形成于該晶片的整個焊墊安裝表面上且覆蓋該導電接腳和該導電體，于該保護層上形成有數個連通到對應的導電接腳的通孔；及

數個導電球，每一導電球是形成于對應的通孔內并且是與對應的導電接腳電氣連接。

14.如權利要求13所述的半導體晶片封裝體，其特征在于：該導電體為導線。

15.如權利要求13所述的半導體晶片封裝體，其特征在于：該導電體為導電金屬膠。

16.一種半導體晶片封裝體，其特征在于：包含：

一半導體晶片，其具有一焊墊安裝表面及數個安裝于該焊墊安裝表面上的焊墊；

一薄膜基體，該薄膜基體具有一電路軌跡設置表面和數個設置于該表面上的電路軌跡，該薄膜基體的電路軌跡設置表面是與該晶片的焊墊安裝表面粘接以使該電路軌跡與對應的焊墊電氣連接，該薄膜基體更形成有數個用于暴露對應的電路軌跡的一部分的通孔；及

數個導電球，每一導電球是形成于對應的通孔并且是與對應的電路軌跡電氣連接。

17.一種半導體晶片封裝體，其特征在于：包含：

一半導體晶片，其具有一焊墊安裝表面及數個安裝于該焊墊安裝表面上的焊墊；

一薄膜基體，該薄膜基體具有一電路軌跡設置表面和數個設置于該表面上的電路軌跡，該薄膜基體的與該電路軌跡設置表面相對的表面是與該晶片的焊墊安裝表面粘接，該薄膜基體更形成有數個將對應的電路軌跡與對應的焊墊電氣連接的電鍍貫孔；及

數個導電球，該導電球是被形成于對應的電路軌跡上。