[發(fā)明專利]制造PMOS薄膜晶體管的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710104043.4
• 申請(qǐng)日: 2007-05-18
• 公開（公告）號(hào): CN101110365A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁泰勛;李基龍;徐晉旭;樸炳建
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星SDI株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 李家麟;王小衡

1.一種制造p型薄膜晶體管(TFT)的方法，包括：

準(zhǔn)備襯底；

在所述襯底上形成無定形硅層；

在所述無定形硅層上形成覆蓋層；

在所述覆蓋層上沉積金屬催化劑；

在所述襯底上執(zhí)行第一退火處理以使所述金屬催化劑通過所述覆蓋層擴(kuò)散到所述無定形硅層的表面內(nèi)，以及使所述無定形硅層由于所擴(kuò)散的金屬催化劑而結(jié)晶成多晶硅層；

除去所述覆蓋層；

形成所述多晶硅層的圖案以形成半導(dǎo)體層；

在所述襯底上形成柵極絕緣層和柵極；

把p型雜質(zhì)離子植入所述半導(dǎo)體層；以及

把吸氣材料植入所述半導(dǎo)體層以及執(zhí)行第二退火處理以除去所述金屬催化劑，

其中，按6×10¹³/cm²到5×10¹⁵/cm²的劑量植入p型雜質(zhì)離子，并且按1×10¹¹/cm²到3×10¹⁵/cm²的劑量植入所述吸氣材料。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述p型雜質(zhì)離子是硼(B)、B₂H_X⁺、BH_X⁺(其中，X＝1，2，3，...)，或它們的任何組合。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在10到100keV的加速電壓下植入所述硼離子。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，植入所述硼離子，從而投射范圍(Rp)在距離多晶硅層和柵極絕緣層之間的界面約±500之內(nèi)。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，把所述吸氣材料植入所述半導(dǎo)體層的源極、漏極區(qū)域。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述吸氣材料是門捷列夫周期表第V族中的一個(gè)元素。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述吸氣材料是磷(P)、PH_X⁺、P₂H_X(其中，X＝1，2，3，...)，或它們的任何組合。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在10到100keV的加速電壓下植入所述磷離子。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，植入所述磷離子，從而投射范圍(Rp)在距離多晶硅層和柵極絕緣層之間的界面約±500之內(nèi)。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在溫度為約500℃或800℃處或在約500℃和800℃之間執(zhí)行所述第二退火處理。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，執(zhí)行所述第二退火處理1到120分鐘。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆蓋層是氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層和氮化硅層構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述覆蓋層使其厚度為1或2000，或在1和2000之間。

14.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，由于柵極的屏蔽作用，所以在位于源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間的溝道區(qū)域中沒有植入所述吸氣材料。

15.一種制造薄膜晶體管(TFT)的方法，包括：

在襯底上的無定形硅層上形成覆蓋層；

在所述覆蓋層上沉積金屬催化劑；

在所述襯底上執(zhí)行第一退火處理以使所述金屬催化劑通過所述覆蓋層擴(kuò)散到所述無定形硅層的表面內(nèi)，以及使所述無定形硅層由于所擴(kuò)散的金屬催化劑而結(jié)晶成多晶硅層；

除去所述覆蓋層；

形成所述多晶硅層的圖案以形成半導(dǎo)體層，

在所述襯底上形成柵極絕緣層和柵極；

把第一雜質(zhì)離子植入所形成的所述半導(dǎo)體層；以及

把作為吸氣材料的第二雜質(zhì)離子植入所述半導(dǎo)體層以及執(zhí)行第二退火處理以除去所述金屬催化劑。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述第二雜質(zhì)離子的類型與所述第一雜質(zhì)離子的類型相反。