[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200710103912.1
• 申請日: 2007-05-15
• 公開（公告）號: CN101136375A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 小川裕之;兒嶼秀之;江間泰示
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L27/115
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 張龍哺

1.一種半導體器件的制造方法，該半導體器件包括半導體襯底上的第一區、第二區以及環形第三區，所述第一區中形成第一晶體管，所述第一晶體管包括具有浮柵和控制柵的疊層結構的第一柵極，所述第二區中形成第二晶體管，所述第二晶體管包括單層結構的第二柵極，所述環形第三區位于所述第一區與所述第二區之間的邊界部分，所述方法包括以下步驟：

在所述半導體襯底的第一區、第二區以及第三區上方形成第一導電膜；

除去所述第二區中的第一導電膜，同時將所述第一區和所述第三區中的第一導電膜圖案化，使得所述第一導電膜的外部邊緣位于所述第三區中；

在所述半導體襯底的第一區中，形成覆蓋所述第一導電膜的第一絕緣膜；

在所述半導體襯底的第一區、第二區以及第三區上方形成第二導電膜；

將所述第二導電膜圖案化，以在所述第一區中形成所述第二導電膜構成的控制柵，同時保留所述第二導電膜，使得所述第二導電膜覆蓋所述第二區并且位于所述第三區中，所述第二導電膜的內部邊緣位于所述外部邊緣的內側；

將所述第一區中的第一絕緣膜和第一導電膜圖案化，以形成所述第一導電膜構成的浮柵；以及

將所述第二區中的第二導電膜圖案化，以在所述第二區中形成所述第二導電膜構成的第二柵極。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中：

在除去所述第二區中的第一導電膜，同時將所述第一區和所述第三區中的第一導電膜圖案化的步驟中，形成具有沿所述第一區的邊緣的環形圖案的第一導電膜。

3.根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中：

所述控制柵延伸至形成所述環形圖案的區域。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，還包括以下步驟：

在所述第一晶體管上方形成第二絕緣膜；以及

在所述第二絕緣膜中形成向下達到所述控制柵的接觸孔；

其中，在形成所述接觸孔的步驟中，將所述接觸孔形成于在所述控制柵下方不形成所述第一導電膜的區域中。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，還包括以下步驟：

在所述第一晶體管上方形成第二絕緣膜；以及

在所述第二絕緣膜中形成向下達到所述控制柵的接觸孔；

其中，在形成所述接觸孔的步驟中，將該所述接觸孔形成于在所述控制柵下方形成所述第一導電膜的區域中。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，在形成所述第一導電膜的步驟之前還包括以下步驟：

在所述第一區和所述第二區中形成用于定義器件區的器件隔離絕緣膜。

7.一種半導體器件，在半導體襯底上包括：第一區，其中形成第一晶體管，所述第一晶體管包括疊層柵極結構的第一柵極，所述第一柵極具有第一導電膜構成的浮柵和第二導電膜構成的控制柵；第二區，圍繞所述第一區設置，在所述第二區中形成第二晶體管，所述第二晶體管包括所述第二導電膜構成的單層結構的第二柵極；以及環形第三區，位于所述第一區與所述第二區之間的邊界部分中，

所述第三區中形成有所述第一導電膜的圖案。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中：

形成于所述第三區中的所述圖案是圍繞所述第一區的環形圖案。

9.根據權利要求7所述的半導體器件，還包括：

絕緣膜，形成于所述第一晶體管上方，并具有向下達到所述控制柵的接觸孔；以及

形成所述第一導電膜的區域，位于所述控制柵下方并比所述接觸孔更接近所述第三區。

10.根據權利要求7所述的半導體器件，還包括：

絕緣膜，形成于所述第一晶體管上方，并具有向下達到所述控制柵的接觸孔；

所述第一導電膜在形成所述接觸孔的區域中延伸。