[發明專利]在襯底上形成加強互連的方法

有效

• 申請號: 200710103556.3
• 申請日: 2007-03-06
• 公開（公告）號: CN101051614A
• 公開（公告）日: 2007-10-10
• 發明（設計）人: 蕭喜銘;周安樂;黎戈;葉興強;鄭通慶;陳蘭珠
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/60;H01L23/538;H01L23/48
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 柴毅敏

1.一種在襯底上形成互連的方法，包括：

在襯底上形成支撐結構，其中所述支撐結構是通過接合第一導線回路和第二導線回路至所述襯底形成，所述第一導線回路與所述第二導線回路交叉，所述第一導線回路與所述第二導線回路中每個都具有接合至所述襯底的第一端和第二端，并且在每個導線回路的與所述襯底間隔開的中點處交叉；

在所述支撐結構周圍形成封囊，以形成所述互連；

2.根據權利要求1所述的形成互連的方法，其中形成封囊的步驟進一步包括：

在所述支撐結構上沉積粘著劑；

在所述粘著劑上沉積焊料；并且

熔融所述焊料以形成所述封囊。

3.根據權利要求2所述的形成互連的方法，其中所述支撐結構的熔點高于所述焊料的熔點。

4.根據權利要求2所述的形成互連的方法，其中所述封囊的高度在150微米至300微米之間。

5.根據權利要求2所述的形成互連的方法，其中所述焊料是顆粒尺寸在5微米至10微米之間的粉末。

6.根據權利要求2所述的形成互連的方法，其中所述焊料為低共熔錫-鉛焊料、低共熔錫-銀-銅焊料和高鉛焊料中之一。

7.根據權利要求1所述的形成互連的方法，其中所述封囊具有大于1.5的長寬比。

8.一種形成導電凸塊的方法，包括：

在襯底上形成支撐結構，其中所述支撐結構包括由導線接合工藝形成的兩個交叉的導線回路，每個導線回路具有接合至所述襯底的第一端和第二端，并且在導線回路的中點處交叉；

在所述支撐結構上沉積粘著劑；

在所述粘著劑上沉積焊料；并且

熔融所述焊料以形成所述導電凸塊。

9.根據權利要求8所述的形成導電凸塊的方法，其中所述焊料附著步驟包括將所述支撐結構浸入到熔融的焊料中。