[發明專利]光掩模和曝光方法

有效

• 申請號: 200710103488.0
• 申請日: 2007-05-18
• 公開（公告）號: CN101075086A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發明（設計）人: 宅島克宏;安井孝史
• 申請（專利權）人: HOYA株式會社;松下電器產業株式會社
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/14;G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 孫紀泉

1.一種光掩模，所述光掩模用于使用曝光設備的圖樣轉移，所述光 掩模包括：

透明襯底；

需求的轉移圖樣，所述需求的轉移圖樣形成在透明襯底的中心部分的 主要區域內；

遮光帶區域，所述遮光帶區域在所述主要區域的外周邊區域內鄰近所 述主要區域，用于防止圖樣由于泄露的光線轉移到所述主要區域的外周邊 區域；和

護膜，通過將護膜框架粘附到所述主要區域的外周邊區域上，所述護 膜安裝成覆蓋包括所述主要區域和所述遮光帶區域的區域，其中所述光掩 模包括在所述主要區域的外周邊區域內的光透射區域，所述透明襯底在所 述光透射區域內被露出；和包括護膜框架粘附到其上的表面的區域，所述 包括護膜框架粘附到其上的表面的區域由遮光區域形成，所述遮光區域形 成有遮光薄膜，所述遮光薄膜具有對所述曝光設備的曝光光線的遮光特 性，

其中所述遮光區域形成為具有將所述護膜框架的兩側的寬度分別增 加0.3mm以上且5.0mm以下的寬度，并與所述遮光帶區域被所述光透射 區域隔開。

2.根據權利要求1所述的光掩模，其中所述轉移圖樣為通過使用負 性光刻膠形成的圖樣。

3.根據權利要求1所述的光掩模，其中所述曝光設備的曝光光線是 當所述護膜框架和/或在所述護膜中使用的粘合劑被此光線照射時，引起所 述護膜框架和/或所述粘合劑的組成材料的光致反應的光線。

4.根據權利要求1所述的光掩模，其中所述曝光設備的曝光光線是 具有200nm或更小的波長的激光束。

5.一種光掩模的制造方法，所述光掩模用于使用曝光設備的圖樣轉 移，并安裝有護膜，所述制造方法包括以下步驟：

通過對透明襯底上所形成的遮光薄膜進行圖案形成，分別形成轉移用 圖樣、遮光帶區域、遮光區域、使所述透明襯底露出的光透射區域，

所述轉移用圖樣形成在所述透明襯底的中心部分的主要區域內，

所述遮光帶區域在所述主要區域的外周邊區域內鄰近所述主要 區域，用于防止圖樣由于泄露的光線轉移到所述主要區域的外周邊區域，

所述光透射區域形成在所述主要區域的外周邊區域內，

所述遮光區域以通過所述光透射區域與所述遮光帶區域隔開的 方式形成在所述主要區域的外周邊區域內，并且所述遮光區域形成為包括 粘附護膜框架的表面的區域對所述曝光光線具有遮光特性，

通過配合所述遮光區域來粘附所述護膜框架，所述主要區域和所述遮 光帶區域被所述護膜覆蓋，

其中所述遮光區域具有將所述護膜框架的兩側的寬度分別增加 0.3mm以上且5.0mm以下的寬度。

6.根據權利要求5所述的光掩模的制造方法，其中在所述轉移用圖 樣和所述遮光區域之間形成由所述遮光薄膜構成的遮光帶區域。

7.根據權利要求5所述的光掩模的制造方法，其中所述轉移用圖樣 是通過使用負性光刻膠形成的圖樣。

8.根據權利要求5所述的光掩模的制造方法，其中所述遮光薄膜包 括半透過薄膜。