[發明專利]改變讀取參考電流以存取具有讀取錯誤的非揮發存儲器的裝置與方法

有效

• 申請號: 200710103412.8
• 申請日: 2007-05-08
• 公開（公告）號: CN101114530A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發明（設計）人: 洪俊雄;陳漢松
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 王英

1.一種讀取非揮發存儲器的方法，包括：

回應至接收讀取命令的非揮發存儲集成電路，該非揮發存儲集成電路進行：

根據存取儲存于該非揮發存儲集成電路中的多個非揮發數據位來產生第一檢查碼；

存取儲存于該非揮發存儲集成電路中的第二檢查碼，其作為與該多個(非揮發)數據位相關的多個非揮發(數據)檢查位；

檢查該第一檢查碼與該第二檢查碼是否相符；

于該產生與該檢查步驟之后，回應該第一檢查碼與該第二檢查碼間的不相符，改變施加至存取儲存于該非揮發存儲集成電路中的該多個非揮發(數據)位的至少一個參考值，以區別該多個非揮發(數據)位所代表的邏輯級別。

2.如權利要求1所述的方法，其中該至少一個參考值是參考電流。

3.如權利要求1所述的方法，其中該至少一個參考值是參考電壓。

4.如權利要求1所述的方法，其中該第一檢查碼與該第二檢查碼是錯誤更正碼。

5.如權利要求1所述的方法，其中該第一檢查碼與該第二檢查碼是錯誤檢測碼。

6.如權利要求1所述的方法，其中該非揮發存儲集成電路還進行：

于該改變至少一個參考值之后，根據存取儲存于該非揮發存儲集成電路中的該多個非揮發數據位，使用該至少一個參考值來產生更新的第一檢查碼。

7.如權利要求1所述的方法，其中該非揮發存儲集成電路還進行：

于該改變至少一個參考值之后，進行：

根據存取儲存于該非揮發存儲集成電路中的該多個非揮發數據位，使用該至少一個參考值來產生該第一檢查碼；以及

檢查該第一檢查碼與該第二檢查碼是否相符。

8.如權利要求1所述的方法，其中該非揮發存儲集成電路還進行：

于該改變至少一個參考值之后，進行：

根據存取儲存于該非揮發存儲集成電路中的該多個非揮發數據位，使用該至少一個參考值來產生該第一檢查碼；

使用該至少一個參考值，存取儲存于該非揮發存儲集成電路中的該第二檢查碼，其作為與該多個(非揮發)數據位相關的多個非揮發(數據)檢查位；以及

檢查該第一檢查碼與該第二檢查碼是否相符。

9.如權利要求1所述的方法，其中該非揮發存儲集成電路還進行：

于該改變至少一個參考值之后，進行：

根據存取儲存于該非揮發存儲集成電路中的該多個非揮發數據位，使用該至少一個參考值來產生該第一檢查碼；

使用該至少一個參考值，存取儲存于該非揮發存儲集成電路中的該第二檢查碼，其作為與該多個(非揮發)數據位相關的多個非揮發(數據)檢查位；

檢查該第一檢查碼與該第二檢查碼是否相符；以及

回應該第一檢查碼與該第二檢查碼間的另一不相符，改變施加至存取儲存于該非揮發存儲集成電路中的該多個非揮發(數據)位該至少一個參考值，以區別該多個非揮發(數據)位所代表的邏輯級別。

10.如權利要求1所述的方法，其中該非揮發存儲集成電路還進行：

于該改變至少一個參考值之后，進行：

直到自一系列檢查該第一檢查碼與該第二檢查碼是否相符得到成功的結果，反復地改變施加至存取儲存于該非揮發存儲集成電路中的該多個非揮發(數據)位該至少一個參考值，以區別該多個非揮發(數據)位所代表的邏輯級別。

11.如權利要求1所述的方法，其中該至少一個參考值區別該邏輯級別的至少一個第一邏輯級別與一個第二邏輯級別，該第一邏輯級別與相較于該第二邏輯級別為高的臨界電壓相關，且該改變至少一個參考值包括：

改變至少一個參考值，使得與該第一邏輯級別相關的臨界電壓的第一范圍變寬而與該第二邏輯級別相關的臨界電壓的第二范圍變窄。

12.如權利要求1所述的方法，其中該至少一個參考值區別該邏輯級別的至少一個第一邏輯級別與一個第二邏輯級別，該第一邏輯級別與相較于該第二邏輯級別為高的臨界電壓相關，且該改變至少一個參考值包括：

改變至少一個參考值，使得與該第一邏輯級別相關的臨界電壓的第一范圍變窄而與該第二邏輯級別相關的臨界電壓的第二范圍變寬。