[發(fā)明專利]用以對一閃速存儲元件實(shí)施逐位擦除的裝置與方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710103411.3 | 申請日： | 2007-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN101071644A | 公開（公告）日： | 2007-11-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 呂函庭;賴二琨 | 申請（專利權(quán)）人： | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/14 | 分類號： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 韓宏 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用以 一閃 存儲 元件 實(shí)施 擦除 裝置 方法 | ||
1.一種對一閃速存儲元件用以逐個存儲單元擦除多個存儲單元中的目標(biāo)存儲單元的方法，該多個存儲單元包含于存儲陣列中，每一存儲單元包括源極、漏極、柵極、電荷陷獲結(jié)構(gòu)、以及位于該源極與漏極之間的溝道區(qū)域，多條位線耦接至該多個存儲單元的該源極與漏極區(qū)域，且多條字線耦接至該多個存儲單元的柵極，包括：
施加第一電壓至與該目標(biāo)存儲單元相關(guān)的該字線；
施加第二電壓至其他該多條字線；
施加第三電壓至與該目標(biāo)存儲單元相關(guān)的該位線；以及
施加第四電壓至其他該多條位線，其中該第一電壓和該第三電壓使該目標(biāo)存儲單元被擦除，而該第二電壓和該第四電壓用以抑制其他存儲單元被擦除，其中該多個存儲單元包括絕緣層上覆硅晶體管。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一電壓介于約-7至-13伏特之間。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第二電壓介于約7至13伏特之間。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第三電壓介于約6至12伏特之間。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在該目標(biāo)存儲單元被擦除的同時，編程該多個存儲單元之一。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該陣列為三階陣列。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該多個存儲單元利用薄膜晶體管工藝技術(shù)所制造。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中電荷由該溝道區(qū)域經(jīng)帶隙加工隧穿結(jié)構(gòu)移至該電荷陷獲結(jié)構(gòu)以擦除該目標(biāo)存儲單元。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中電荷由該溝道區(qū)域經(jīng)包含第一氧化物層，第一氮化物層及第二氧化物層的帶隙加工隧穿結(jié)構(gòu)移至該電荷陷獲結(jié)構(gòu)以擦除該目標(biāo)存儲單元。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中電荷由該溝道區(qū)域經(jīng)包含厚度約小于20埃的第一氧化物層，第一氮化物層及第二氧化物層的帶隙加工隧穿結(jié)構(gòu)移至該電荷陷獲結(jié)構(gòu)以擦除該目標(biāo)存儲單元。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中電荷由該溝道區(qū)域經(jīng)包含厚度約介于5至20埃之間的第一氧化物層，第一氮化物層及第二氧化物層的帶隙加工隧穿結(jié)構(gòu)移至該電荷陷獲結(jié)構(gòu)以擦除該目標(biāo)存儲單元。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中電荷由該溝道區(qū)域經(jīng)包含厚度約小于15埃的第一氧化物層，第一氮化物層及第二氧化物層的帶隙加工隧穿結(jié)構(gòu)移至該電荷陷獲結(jié)構(gòu)以擦除該目標(biāo)存儲單元。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中電荷由該溝道區(qū)域經(jīng)包含第一氧化物層，厚度約小于20埃的第一氮化物層及第二氧化物層的帶隙加工隧穿結(jié)構(gòu)移至該電荷陷獲結(jié)構(gòu)以擦除該目標(biāo)存儲單元。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中電荷由該溝道區(qū)域經(jīng)包含第一氧化物層，厚度約介于10至20埃之間的第一氮化物層及第二氧化物層的帶隙加工隧穿結(jié)構(gòu)移至該電荷陷獲結(jié)構(gòu)以擦除該目標(biāo)存儲單元。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中電荷由該溝道區(qū)域經(jīng)包含第一氧化物層，第一氮化物層及一厚度約小于20埃的第二氧化物層的帶隙加工隧穿結(jié)構(gòu)移至該電荷陷獲結(jié)構(gòu)以擦除該目標(biāo)存儲單元。
16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中電荷由該溝道區(qū)域經(jīng)包含第一氧化物層，第一氮化物層及一厚度約介于15至20埃之間的第二氧化物層的帶隙加工隧穿結(jié)構(gòu)移至該電荷陷獲結(jié)構(gòu)以擦除該目標(biāo)存儲單元。
17.如權(quán)利要求1所述的方法，其中電荷由該溝道區(qū)域進(jìn)入該電荷陷獲結(jié)構(gòu)以擦除該目標(biāo)存儲單元，該電荷陷獲結(jié)構(gòu)從包含SONOS、BE-SONOS、SONS、頂BE-SONOS、MONOS、底SONOSOS、底SOSONOS和SONONS的組中選出。
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