[發明專利]封裝件

無效

• 申請號: 200710103279.6
• 申請日: 1999-09-03
• 公開（公告）號: CN101055972A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發明（設計）人: 吉田浩;東條剛;小澤正文
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01S5/022
• 分類號: H01S5/022;H01L33/00;H01L23/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

本分案申請是基于申請號為99118392.4，申請日為1999年9月3日，發明名稱為“半導體器件和封裝件及其制造方法”的原始中國專利申請的分案申請，更具體說，是基于申請號為200410086927.8，申請日為1999年9月3日，發明名稱為“封裝件及其制造方法”的分案申請的再次分案申請。

技術領域

本發明涉及到包括排列在安裝板上的半導體元件的半導體器件和具有安裝板的封裝件及其制造方法。

背景技術

目前，在許多工業領域中使用半導體發光器件。這種半導體發光器件通常構造成半導體發光元件包含在封裝件中。這種封裝件被用來獲得發光器件的簡單處置和保護，以及有效地發散發光器件工作時在發光器件中產生的熱。近年來，對開發高輸出半導體發光器件和開發采用由含II族元素和VI族元素的化合物組成的化合物半導體的發射綠光的半導體發光器件，或開發采用由含氮的氮化物和III族元素組成的化合物半導體的發射藍光的半導體發光器件，有強烈的要求。為了滿足這些要求，傾向于提高饋送到發光元件的功率，其結果是從發光器件產生的熱量大幅度增加。從這一觀點看來，希望利用用來輻射發光元件產生的熱的封裝件來增強熱輻射效應。

圖1示出了相關技術的半導體發光器件，其結構中的半導體發光元件2220，通過由絕緣體制成的子安裝板2219，排列在由金屬制成的導電安裝板2213上(見日本專利公開No.Hei8-321655)。這種半導體發光器件的優點是，可以借助于在子安裝板2219上提供適當的連線而容易地實現到半導體發光元件的電連接。具體地說，此文件中公開的技術，對于采用由含III族元素的氮化物組成的化合物半導體的制作在絕緣襯底上且p側電極和n側電極都制作在發光元件的與絕緣襯底相反一側上的半導體發光元件的半導體發光器件來說，是特別有效的。由于子安裝板2219連接于半導體發光元件2110，故可以利用子安裝板2219將p側電極和n側電極連接到管腳，從而使連線鍵合所需的子安裝板2219上的面積大。電流可以通過子安裝板2219，從連接于圖1所示的二個管腳的p側電極和n側電極，注入到半導體發光器件中。

圖2示出了另一個相關技術的電連接半導體發光器件的方法，此器件包括采用由含III族元素的氮化物組成的化合物半導體的半導體發光元件。參照圖2，半導體發光器件的p側電極連接于左管腳，而其n側電極通過子安裝板2129和導電安裝板2121連接于第三管腳(未示出)。用這種電連接，電流能夠注入到半導體發光器件中。而且，用來監視半導體發光器件的光輸出的光探測器(未示出)排列在導電安裝板2121上，其中，光探測器的第一電極與半導體發光器件一起連接于未示出的公共第三管腳，而光探測器的第二電極連接于右管腳。用這一結構，能夠用光探測器來監視半導體發光器件的光輸出。

然而，上述技術存在問題。由于絕緣體的熱導率和電導率都比金屬低，故絕緣子安裝板2219或2129防止了制作在同一側上的p側電極與n側電極發生短路，但器件的熱輻射特性降低了。結果，半導體發光元件的溫度上升，器件的長期穩定運行和可靠性從而下降。

這種類型的一種已知的半導體器件被構造成連線部分通過絕緣薄膜被制作在導電板的平坦表面上，且半導體發光元件的p側電極連接于導電板，而元件的n側電極連接于連線部分。但這種半導體器件的缺點是，由于連線部分通過絕緣薄膜制作在導電板上，故不可能確保連線與導電板之間足夠的絕緣。

發明內容

本發明的目的是提供一種能夠確保高的熱輻射作用，同時能夠防止電極之間短路的半導體器件和封裝件及其制造方法。

為了達到上述目的，根據本發明的第一情況，提供了一種半導體器件，它包括具有安置在上述導電安裝板上的凹陷部分和突出部分的導電安裝板；安置在上述導電安裝板的上述凹陷部分上的絕緣安裝板；以及一部分安置在上述導電安裝板上，而另一部分安置在上述絕緣安裝板上的半導體元件。用這一結構，有可能確保半導體元件的電絕緣并通過導電安裝板輻射半導體元件中產生的熱，因而抑制半導體元件的溫度上升，從而確保器件的長期穩定工作狀態。結果，有可能改善半導體器件的可靠性。